BJT심화
- 최초 등록일
- 2010.09.18
- 최종 저작일
- 2010.09
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소개글
BJT심화
목차
실험에 관련된 이론
실험회로 및 시뮬레이션 결과
실험방법 및 유의사항
참고문헌
본문내용
실험에 관련된 이론
Base Bias(베이스 바이어스, 고정 바이어스 라고도 함)
아래 그림에 트랜지스터상의 다이오드 전압강하 VBE 와 RB, 배터리를 포함하는 루프에 대해 KVL(키르히호프 법칙) 계산식을 써서 보인다. 우리가 베이스 전원에 VBB 를 사용한다는 것에 유의한다(그게 실제로는 Vcc 라도).
만약 β가 큰 값이면 우리는 Ic=Ie 로 추정할 수 있다. 실리콘 트랜지스터에서 VBE 는 약 0.7V 이다.
베이스 바이어스 계산하기.
실리콘 소신호 트랜지스터는 보통 100-300 사이의 β를 가진다.
β=100 인 트랜지스터를 가정하고, 이미터전류 1mA 일 때 요구되는 베이스 바이어스 저항기의 값은 얼마일까?
아래 그림, 결과값인 930K 에 가장 가까운 표준값은 910K(옴) 이다.
표준값인 910K 저항기를 사용했을 때 이미터 전류는 조금만 바뀌었다.
그러나 β 가 100 에서 300 으로 변했을 때 이미터 전류는 세배가 된다.
우리가 컬렉터 전압이 Vcc 에서 GND 까지 변화한다고 생각한다면 이것은 전력 증폭기에는 부적당하다.
그러나 마이크로 볼트에서 약 1V 사이의 소신호에서 이 바이어스 지점은 β의 중심값(sqrt(100*300)=173)으로 할 수 있다.
이 바이어스 점은 여전히 많이 이동(drift)한다. 그러나 소신호는 잘리지(clipped) 않을 것이다.베이스-바이어스 그 자체만으로는 전력증폭기 처럼 높은 이미터 전류에 적합하지 않다.
베이스 바이어스된 이미터 전류는 온도 안정성이 없다.
열폭주는 온도증가에 기인한 이미터 전류 증가로, 점진적 온도 증가가 원인이 된 이미터 대전류의 결과이다.
Collector-feedback bias(컬렉터 궤환 바이어스, 자기(self) 궤환 바이어스 라고도 함)
바이어스 변동의 원인인 β와 온도는 아래 그림처럼 바이어스 저항기를 컬렉터로 이동시키는 것에 의해 감소할지도 모른다.만약 이미터 전류가 증가하면 Rc 에서의 전압강하는 증가, Vc 는 감소하고, 베이스로의 궤환 Ib 는 감소한다.
참고 자료
[1] B. Razavi, “Fundamentals of Microelectronics,” John Wiley, 1st Edition, 2007, pp.380-410
[2] http://imagesearch.naver.com/search.naver?where=idetail&rev=10&query=BJT&from=image&ac=-1&sort=0&res_fr=0&res_to=0&merge=0&spq=0&start=18&a=pho_l&f=tab&r=18&u=http%3A%2F%2Fcafe.naver.com%2Fsemidesign%2F3&thumbnail=http%3A%2F%2Fthumbview01.search.naver.com%2Fthumbnails%3Fq%3Dhttp%3A%2F%2Fcafefiles.naver.net%2Fdata24%2F2006%2F11%2F15%2F48%2Fbjt.gif&signature=513506376342&gdid=90000004_00C1F6F60000000300000000&a_q=&n_q=&o_q=