Common Source Amp 예비 보고서

소개글

Common Source Amp에 대한 예비보고서

목차

Common Source Amp
1) 회로의 특성과 동작원리
트랜지스터의 특성과 동작원리
2) 각 회로에 대한 해석
3) FET의 용도
4) Pspice를 사용한 시뮬레이션
5) 분석

본문내용

1) 회로의 특성과 동작원리
트랜지스터의 특성과 동작원리
트랜지스터에는 FET와 BJT가 있습니다. 그 중에서 이번 주 실험에 사용한 FET 특성을 설명 드리겠습니다. FET는 전자나 정공 중 하나의 반송자에 의해서만 동작하는 단극성 소자(UJT)이며 다수 캐리어에 의해 동작하며 게이트의 역전압에 의해 드레인 전류가 제어되므로 전압제어 소자로 쓰이고 BJT에 비해 입출력 임피던스가 높아서 전압증폭소자로 사용되며 소형화 가능하며 전력소비 적어 대규모 IC에 적합합니다.
FET의 종류에는 JFET와 MOSFET으로 나눌 수 있습니다.
JFET는 기본적인 동작은 n채널 p채널이라는 표시는 Drain과 Source가 연결된 물질에 따라 표시 됩니다. 여기서 Drain과 Source는 n채널에 연결되어 있고 Gate는 p채널에 연결 되어 있습니다. n채널 반도체에 p채널을 도핑되어 P-N 결합을 만드는 것입니다. 이 때 Drain에 (+), Source에 (-)를 걸어주면 전류는 주 반송자(n채널에서는 자유전자, p채널에서는 정공)가 Source-Drain 채널을 통해 흐르게 됩니다. n채널의 물질은 Drain에서 Source까지의 전류 통로를 제공하고, n채널 JFET에서는 Drain은 (+)인가 함으로서 자유 전자가 Drain쪽으로 이동하도록 합니다. 즉, 전류는 Source 쪽으로 흐릅니다. Gate는 P형 반도체로 이루어지며, P-N 결합이 형성된다. 이 때 P-N 결합은 반드시 역방향 바이어스(reverse bias)가 되어야 합니다. 순방향 바이어스(forward bias)가 되면 전류가 흐르므로 전계효과 FET 소자로서 기능을 갖지 못합니다.
MOSFET은 금속막, 산화막, 반도체영역으로 구성된 트랜지스터의 일종이 되고, MOSFET의 Source와 Drain은 실리콘 표면에 생성되며 Gate의 양쪽에 배치 됩니다. 반도체 영역은 대부분 트랜지스터 역할을 하기 위해 표면이 단결정 실리콘으로 도핑 되어 있습니다. 산화막은 실리콘 산화막 형태로 구성 되는데 금속막과 절연을 하는 기능을 하고, 금속막은 MOS 트랜지스터에 전압을 인가하기 위한 지점으로 사용됩니다.

참고 자료

없음