전자공학실험 트랜지스터

소개글

전자공학실험 트랜지스터

목차

실험목적

기초이론
트랜지스터 : 3요소 소자
접합 트랜지스터
와 트랜지스터
트랜지스터의 기초: 밑면과 설치

트랜지스터 회로를 다루고, 트랜지스터를 측정하기 위한 기본 수칙
특수공구
트랜지스터를 파괴시키는데 대한 주의

실험과정
실험 장비 및 재료
PNP 바이어싱
NPN 바이어싱

본문내용

실험목적
1. 트랜지스터의 바이어스에 대하여 자세히 이해한다.
2. 이미터-베이스 회로에서 이미터-베이스 전류에 대한 순방향(정상)과 역방향 바이어스의 효과를 측정한다.
3. 이미터-베이스 회로에서 컬렉터 전류에 대한 순방향과 역방향 바이어스의 효과를 측정한 다.
4. 를 측정한다.

기초이론
트랜지스터 : 3요소 소자
반도체에 대한 과학적 흥미에 의해 트랜지스터의 개발이 이루어지게 되었다. 트랜지스터의 장점은 작고, 가벼워서 장치의 소형화를 가능하게 하고, 낮은 전압에서도 동작하고 전력소모가 적다는 것이다. 또 트랜지스터는 예열시간이 필요없이 전력이 공급되면 즉시 동작한다. 트랜지스터는 회로에 연결되는 단자의 수도 적다. 트랜지스터의 단점은 열에 대한 민감도이나 반면에 트랜지스터 자체가 열을 많이 내지 않는다는 것은 장점이다.
트랜지스터는 여러 종류가 있다. 트랜지스터는 제조되는 기본 재료에 따라 분류되기도 한다. 이런 범주에는 게르마늄과 실리콘 트랜지스터가 있다. 대부분의 트랜지스터는 이제 실리콘으로 제작된다. 트랜지스터는 그들이 제조되는 공정에 따라 분류될 수도 있다. 이런 류에는 성장접합, 용융접합, 표류장(drift field), 메사 (mesa), 에피텍셜(epitexial), 메사⦁플레나(mesa and planar) 트랜지스터, 점 접촉(point-contact) 트랜지스터 등이 있다. 트랜지스터는 전력을 소모하는 능력에 따라 분류될 수도 있다. 저전력형(50 ㎽ 이하)에서부터 고전력형(2 W 이상)까지 사이의 넓은 qjadbl에 걸ㅊ쳐 여러 종류가 있다.
트랜지스터는 여러 가지 다른 형태와 크기로 생산된다(그림 10-1을 참조). 최근에는 트랜지스터를 설치하는 방식과 기본 배치에 의해서 다양하게 구분된다. 어떤 것은 소켓으로 설치된다. 소켓은 트랜지스터의 물리적인 위치를 확고하게 한다. 어떤 트랜지스터는 유연한 단자를 가지고 있어서 직접 납땜에 의해 회로에 연결된다.

참고 자료

없음