다층 박막 분석 및 평가

소개글

안녕하세요. 결과 및 고찰이 4장입니다^^

목차

1.실험목적
2.이론적 배경
3.실험과정
4.실험결과
5.고찰
6.참고문헌

본문내용

1.실험목적
-PVD(Physical Vapor Deposition) 방법 중의 하나인 E-Beam Evaporation의 증착 원리 및 공정방법을 이해한다.
-Titanium Silicide의 형성을 분석할 수 있는 방법을 이해한다.
-Titanium Silicide의 형성 시 multi layer의 수가 silicide의 형성에 미치는 영향에 대해 이해한다.
-Titanium Silicide가 실제 반도체 산업에서 어떻게 응용되고 있는지에 대해 이해한다.

2.이론적 배경
(1)Titanium Silicide
-Titanium Silicide는 21의 낮은 비저항을 갖고 있고, 1470℃의 높은 녹는점 으로 인하여 고온에서도 안정성을 가지고 있을 뿐만 아니라 화학적으로도 안정하기 때
문에 반도체 소자의 배선에 널리 쓰이고 있다.

(2)E-Beam Evaporator
-텅스텐 필라멘트에 전압을 가하여 가열을 시키면 열전자로 인해 electron beam이 발 생한다.Electron beam이 자기장에 의해서 증착하고자 하는 물질이 채워져 있는 도가 니에 유도 되어 충돌됨으로써 증착되는 target material이 가열되어 증착된다.
(3)FESEM(Field Emission Scanning Electron Microscope)
-냉음극 전자방출의 원리를 이용한 현미경으로 음극침을 nm이하의 미소침 형태로 가공 하고 고압을 걸어주면 터널링 효과로 인하여 침 끝에서 전자가 나오게 된다. SEM에 비 해 소스크기가 작아 beam의 직경을 크게 줄여 더 높은 분해능과 배율을 갖게 되고 휘 도가 높아 낮은 가속전압에서도 좋은 분해능과 이미지를 얻을 수 있다.

참고 자료

B-ISDN 공동연구 개발 사업, 한국 전자통신 연구소, 1994.12.31, 175p
금속상변태, ITC, D. A. Porter, 2003.02.10