반도체공정 레포트 최종

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반도체공정 레포트

목차

1. 실험 일자.
2. 실험 목적.
3. 실험 이론.
4. 실험 과정 & 주의 사항
5. 실험 결과.
6. 결과 분석.
7. 느낀 점.
8. Photo Album.

본문내용

1. 실험 일자.
2. 실험 목적.
반도체 공정의 Photolithography, Evaporation, Sputtering에 대해서 실험을 통해 그 원리를 알아보고, 비저항을 측정한다.
3. 실험 이론.
반도체 공정은 크게 산화공정, 확산공정, 이온주입 공정, 화학기상증착공정, 사진식각공정, 금속 공정으로 나눌 수 있다.
1. 산화공정.
일반적으로 웨이퍼위에 oxide 막을 형성하기 위한 공정으로 반도체 웨이퍼를 furnace라 불리는 노에 집어넣고 고온상태를 유지하면서 공기와 질소 또는 수증기와 질소를 노에 집어넣음으로써 이루어진다.
산화과정을 거치게 되면 실리콘 웨이퍼의 Si와 가스 또는 수증기의 형태로 주입된 O2가 만나 웨이퍼 표면에 SiO2라는 oxide 막을 형성하게 되며, 이러한 oxide 막은 후속공정에서 doping을 하기 위한 mask나 웨이퍼 표면을 보호하기 위한passivation 막으로 사용하게 된다.

2. 확산공정
반도체 웨이퍼에 소자를 형성하기 위해서는 웨이퍼에 특정한 불순물을 주입함으로써 특정한 영역을 형성하여야 하는데, 이 특정한 영역은 통상 주입되는 불순물의 종류에 따라 n-type 또는 p-type으로 구분이 된다.
이러한 불순물을 주입하는 방법에는 확산공정이나 이온주입 공정을 사용한다.
확산공정의 경우 반도체 웨이퍼의 표면에 마스크로 사용할 막을 형성한 후 (보통 oxide를 사용), 주입될 불순물을 그 위에 바르거나 또는 불순물을 가진 source 물질을 웨이퍼와 함께 노에 집어 넣어서 고온으로 가열하는 방법을 사용한다.
확산공정을 하는 동안에는 목적에 따라 질소 가스만을 사용해 노의 분위기를 만들어주거나 또는 산소가스를 질소가스와 함께 노에 넣어주게 되는데 산소가스를 함께 넣어주는 경우에는 산화공정에서와 마찬가지로 웨이퍼의 표면에 oxide막이 형성되게 된다.

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참고 자료

없음