[기초회로실험] 24.다이오드의기초

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목차

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본문내용

1. 실험제목 : 다이오드의 기초
2. 실험목적
- 반도체의 기본 물성과 이를 이용한 반도체 다이오드의 전기적 특성을 실험을 통해 확 인해 본다.
3. 관련사항 및 이론
1. 물질의 전기전도성
- 물질을 전기전도성에 의해 분류하면 크게 절연체, 반도체, 금속으로 분류할 수 있다.
대표적인 반도성 물질인 Ge나 Si은 모두 원소 주기율표 4족에 속하는 원소로서 전자와 의 결합성이나 그 결정 구조면에서 유사한 성질을 갖고 있다. 고체 Si에서 각 Si 원자 는 다른 4개의 Si원자와 전자를 1개씩 내어 공유결합을 하고 있다.
2. 진성반도체
- 진성반도체는 불순물이 거의 들어 있지 않은 순수한 반도체로서 이들의 전기 전도성은 이들 물질의 고유한 물성에 의해 결정되고 있다. Si이나 Ge과 같은 반도체는 에너지밴드 모델로 볼 때 일반 절연체와는 달리 가전자대와 전도대간의 에너지밴드갭 Eg가 비교적 작은 편이다. 에너지 밴드갭 Eg는 가전자대에 있던 속박전자가 소속되어 있는 모원자로부터 이탈하여 자유전자로 되는데 필요한 최소의 에너지를 의미한다. 그리고 전도대에 전도전자가 생김과 동시에 가전자대에는 전도전자와 전하량이 같은 정공이 쌍으로 생기게 된다. 정공은 전자가 이동할 수 있도록 징검다리 역할을 해주기 때문에 전자의 이동방향과는 반대방향이 된다.
3. 소수캐리어와 다수캐리어
- 불순물이 도펀트로 주입된 외인성 반도체내에는 밀도차가 큰 두 종류의 전도캐리어가 존재하게 되는데 밀도가 낮은 캐리어를 소수캐리어, 밀도가 높은 캐리어를 다수캐리어라 부른다.

참고 자료

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