트렌지스터의 특성 예비+결과

소개글

실생활에서 전력 증폭에 자주 이용되는 BJT(bipoalr junction transistor) 즉, 바이폴라 접합 트렌지스터에 구조와 동작 특성에 대하여 알아보고, 이를 응용한 증폭회로의 특성도 알아보자.

목차

1.실험 목적
2.이론
3.실험방법
4.실험예상결과
5.실험 결과
6.결론

본문내용

2.이론

1)트랜지스터 개요

트랜지스터는 p형(Positive type)반도체와 n형(Negative type)반도체를 이용하여 npn 또는 pnp 접합구조로 이루어진다. 4족 원소인 반도체 물질(실리콘, 게르마늄 등)에 불순물(3족 또는 5족 원소)을 도핑(첨가)에 따라서 p형과 n형 반도체가 결정된다. n형 반도체는 실리콘에 5가 원소(안티몬, 인 등)를
도핑하여 4가의 실리콘 원자와 안티몬 원자의 공유결합에서 1개의 전자가 남는데 이 전자가 자유전자로서 실리콘의 전도성을 높힌다. p형 반도체는 실리콘에 3가 원소(알루미늄, 붕소, 인듐 등)를 도핑하게 되는데, 4가의 실리콘 원자와 3가 원자가 고유결합하면 1개의 전자가 부족하게 되어 정공(hole)이 생기는데 이를 양전하(+)로 생각 할 수 있다. p형 반도체와 n형 반도체는 같은 수의 양자와 전자를 갖기 때문에 중성이다.
p형 반도체와 n형 반도체를 접합시키면 p-n접합이 형성되는 순간 전하의 밀도 차이에 의해 n영역에 있던 일부의 전자가 p영역으로 접합을 넘어서 확산되고 접합 근처의 정공과 결합한다.

참고 자료

없음