웨이퍼 프로세스를 구성하는 기술

소개글

Wafer의 크기별 분류를 알아보고 프로세스를 구성하는 기술을 알아본다.

목차

1 (a) Make a table comparing the areas of wafers with the following diameters :
25, 50, 75, 100, 125, 200, 300, 450mm
(b) Approximately how many 1mm × 1mm dice are on a 450mm wafer?
(c) How many 25mm × 25mm dice?
2. Wafer process 기술을 구성하는 요소

본문내용

wafer process는 크게 불순물 주입, 패턴 형성, 박막 형성으로 나뉘고 작게는 불순물 주입은 확산과 이온주입으로 패턴 형성은 사진 현상, 식각으로 박막 형성은 CVD, 금속화, 산화로 나뉜다. 이들의 기본 프로세스 상호의 관계는 사진 식각 기술과 에칭 기술을 여러 번 수행하면서 확산, 이온 주입, 산화, CVD, 증착 등의 공정이 반복적으로 수행되어 소자를 만들게 된다.
1) 확산 (diffusion)
웨이퍼 표면에 열에너지를 이용하여 불순물 원자를 표면 내로 주입시켜서 불순물 층이 형성되도록 하는 공정을 확산 (diffusion) 이라고 한다.
2) 이온주입 (ion implantation)
이온 주입이란 원자 이온에 목표물인 고체 표면을 뚫고 들어갈 만큼의 큰 에너지를 공급하여 이온을 고체 내에 주입하는 공정을 말하며 실리콘에 불순물을 넣어 주는 공정이다.
3) 광사진 식각공정 (Photolitho-graphy)
마스크상의 패턴을 웨이퍼 위에 옮기는 공정으로 이 공정을 여러 번 반복함으로써 집적회로 칩을 완성하게 된다. 사진 식각 (lithography) 공정은 실리콘 웨이퍼 표면 위에 원하는 패턴(전자회로)을 그대로 옮겨 집적하는 기술로, 형성 방법에 따라 광사진 식각(Photolitho-graphy), 전자 빔 사진 식각(electron beam lithography) 및 X-선 사진 식각(X-ray lithography) 등으로 나뉜다. 광사진 식각방법은 광을 이용하여 회로 패턴을 웨이퍼 표면에 옮겨 형성하는 것이고, 전자 빔 사진 식각은 전자가 갖는 파장을 이용하므로 높은 해상도의 회로 패턴을 얻을 수 있으나, 패턴 형성에 소요되는 시간이 길고 장비가 비싸다. X-선 사진 식각은 X-선을 이용하는 것으로, 마스크 제작의 어려움 때문에 실용화가 어렵다.

참고 자료

없음