트렌지스터

*승*

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트렌지스터에대한 발표 자료

본문내용

Transistor Introduction
-트랜지스터의 외형-
-트랜지스터의 기호-
*
Transisor Structure
·두개의 다이오드를
접합 시킨 것과
같은 구조
·단자가 3개 각각,
E (Emitter)
B (Base)
C (Collector)
·중간층(Base)가 매우 얇음
*
*
Transistor Behavior Principle
1. 전압 VBE를 인가
2. 왼쪽의 P와 N에만 전압
인가됨
3. P형(Emitter)에서 N형
(Base)쪽으로 정공 이동
4. 전자가 N형(Base)에서
P형(Emitter)쪽으로 이동
※실제 전자농도를 올린
도핑을 N형, 정공농도를
올린 도핑을 P형이라 함.
*
Transistor Behavior Principle
1. 역방향인 VCB를 인가
(VBE보다 전압이 높음)
2. N형(Base)측으로 끌려
들어가던 정공의 대부분이
높은 전압에 의해 P형
(Collector)로 이동
3. 이때 정공이 많아진 P형
(Collector)쪽으로 대부분
의 전자가 흐르게 됨
*
Transistor Usage
Amplifier
진공관을 대체하여 현대의
디지털기기의 소형화를 가능케
했다.[PNP형]
.
..

참고 자료

없음

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