[발표자료] 단결정 성장법

목차

1) 반도체 제조 공정
2) 반도체에 단결정이 사용되는 이유
3) 결정 성장이란?
4) 결정 성장법의 종류 및 원리
① 인상법 (Czochralski method)
② 대역 용융법(Floating zone method)
③ 에피택시얼 성장법(Epitaxial growth method)
㉠ 기상 에피택시(Vapor Phase Epitaxy)
㉡ 액상 에피택시(Liquid Phase Epitaxy)
㉢ 분자선 에피택시(Molecular Beam Epitaxy)
5) Application

본문내용

반도체에 단결정을 사용하는 이유
단결정 정의 : 원자가 규칙적으로 배열하여 하나의 결정을 이룬 것
사용하는 이유 : 1) 결정 입계가 없다.
2) 특정한 방향으로 특정한 성질을 갖는다.
3) 개개의 원자는 일정한 전위(전압)을 지니고 있다.
⇒ 전기적 성질이 우수

결정 성장이란?
정 의 : 증기나 용액 · 융액과 같이 원자 · 분자가 무질서하게 움직이고
있는 상태에서 결정의 규칙적인 배열로 이행하는 과정
종 류 : 1) 융액 성장 - Czochralski 법 , Floating Zone 법
2) 기상 성장 - 기상 Epitaxy 성장법
3) 용액 성장 - 수열법 , 온도 강하법 , 온도차법

참고 자료

없음