반도체 공정

목차

♣반도체 소자를 만드는데 필요한 공정♣
1. Wafer 제작
1.1 인곳(Ingot)의 제작
1.2 대표적인 제작 방법
(1) 인상법(Czochralski Growth)
(2) 부유대역 공정(Floating Zone growth)
1.3 웨이퍼의 가공
(1) 연삭(grinding)
(2) 절단(slicing)
(3) 연마(lapping)
(4) 면손질(rounding)
(5) 에칭(etching)
(6) 광택내기(polishing)
(7) 세정(cleaning)

2. Deposition(박막증착기술)
2.1 CVD
(1) 장점
(2) 종류
2.2 Sputtering
(1) 장점
(2) 단점
3.3 Spining

3. Oxidation(산화공정)
3.1 산화막을 기르는 방법
(1) dry oxidation
(2) wet oxidation
3.2 산화막의 용도

4. Diffusion(확산공정)
4.1 interstitial mechanism
4.2. Vacancy mechanism
4.3 Interstitialcy mechanism

5. Implantation(이온주입공정)
(1) 장점
(2) 단점
(3) 응용 분야

6. Metallization(전극)
6.1 금속박막을 입히는 방법
(1) Sputtering
(2) Evaporation

7. Lithography(사진공정)
7.1 노광기구의 성능
7.2 Photoresist

8. Etching(식각공정)
8.1 Wet etching
8.2 등방성 etching
8.3 방향성 에칭
8.4 플라즈마 보조 에칭

본문내용

1. Wafer 제작

1.1 인곳(Ingot)의 제작

☞웨이퍼의 제작을 위해 우선 단결정 실리콘의 Ingot(주괴)을 만들어야 하며 이 실리콘 인곳을 자르고 다듬는 공정을 거쳐 웨이퍼를 제작.

․순수한 모래를 실리콘으로 정제할 때의 화학반응


1) 위 과정에서 98%의 순도를 갖는 인곳 생성
2) HCl로 처리 → 삼염화실란(SiHCl3) 생성
3) 삼염화실란을 증류시켜 불순물 제거
4) 고순도의 다결정 재료인 EGS(Electronic grade poly-Si)를 생성.


1.2 대표적인 제작 방법

(1) 인상법(Czochralski Growth)


- 1950년대 초에 Teal이 개발
- 단결정 실리콘을 성장시키는 대표적 방법
- 다결정 실리콘을 노안에 넣고 가열하여 녹인후 Seed에 접촉
- Seed와 도가니를 반대로 회전하면서 어올리며 냉각
- 열에 대한 스트레스가 강하고, 직경이 큰 인곳의 생산이 가능하지만 불순물의 농도가 높다

참고 자료

없음