실험14 이미터 접지 증폭기의 바이어스와 증폭도

소개글

실험14 이미터 접지 증폭기의 바이어스와 증폭도

목차

없음

본문내용

실험14장. 이미터 접지 증폭기의 바이어스와 증폭도
실험목적
1. 전압분배 바이어스에 의해서 이미터 접지 트랜지스터 증폭기를 만든다.
2. 이미터 접지 증폭기의 전압 증폭도를 측정한다.
3. 이미터 저항을 바이패스(Bypass)하는 콘덴서가 증폭도에 미치는 영향을 관찰한다.
기초이론
증폭기로서의 트랜지스터
이미터접지에서 트랜지스터의 전류이득을 베타(β)라 부른다. β는 다음과 같이 정의한다.
β = △IC / △IB (VCE는 일정)
베타를 측정하기 위한 바이어스 조건은 다음과 같다.
1. 이미터-베이스 순방향 바이어스이다(이러한 이유 때문에 β는 이미터 접지증폭기에서의 순방향 전류 전달비라 정의된다).
2. 컬렉터-베이스는 역방향 바이어스이다.
트랜지스터 증폭기는 직류 혹은 교류, 전류 또는 전압을 증폭하는데 사용된다.
그림1은 이미터접지로 연결된 NPN 트랜지스터 교류 증폭기 회로이다. R1, R2는 베이스와 이미터를 순방향으로 바이어스하기 위해 사용하였다. VCC는 컬렉터전류와 베이스 전압분배기 R1, R2에 전원을 공급한다. 입력신호 Vin은 C1에 의해 베이스에 연결되어 있고 출력 Vout는 C2에 의해서 컬렉터와 연결되어 있다. 트랜지스터 특성 실험에서 우리는 베이스 전류의 작은 증가는 컬렉터 전류의 상태적인 큰 증가를 초래함을 알고 있다. 베이스전류의 작은 감소는 상대적으로 컬렉터 전류의 큰 감소를 일으킨다. 따라서 베이스와 컬렉터전류는 동위상이다. 이미터접지 증폭기에서 컬렉터전류의 변화는 트랜지스터의 베타값에 의존한다.

참고 자료

없음