화공_최적화_클린룸_발표_자료(optimization of clean room)
- 최초 등록일
- 2011.06.01
- 최종 저작일
- 2010.12
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소개글
화공 최적화 수업시간에 만든 발표자료입니다. 개인 발표자료로서는 바로 사용하시면 되고, 팀프로젝트로서도 약간만 가공해서 사용하시면 됩니다.
목차
The Semiconductor Plant
Subzone Optimization
Pressure Controls
Temperature Controls
Humidity Controls
Flow Controls
Optimization of the Zones
Envelope Optimization
Plant-Wide Optimization
Material Balance Controls
Mechanical Design Limitations
Humidity Controls
Conclusions
본문내용
1. The Semiconductor Plant
반도체 공정 생산성 향상을 위한 조건
1. No drafts (5Pa±1.3Pa)
2. No temperature gradients (22℃±0.6℃)
3. No humidity gradients (35%RH±3%)
4. No air flow variations (60air change/hr±5%)
최적화 목표
1. 위의 요소들을 정확히 제어함으로써 공정
생산성 최대화
2. 에너지 보존
주위로부터 공기 유입을 통한 오염을 막기 위해,
clean-room의 압력이 다른 곳보다 높아야 함
zone
subzone
2. Subzone Optimization
공기의 Total flow와 온도 모두 제어함
Exhaust air header는 더 낮은 hood section과 연결되어 있으며, 모든 공기와 화학성분을 빨아들여 대기로 배출시킴으로써 work station을 안전하게 유지
2.1 Pressure Controls
Return Air Flow = Supply Air Flow
(Exhaust Air Flow + Pressurization Loss)
2. Subzone Optimization
DPS-1(clean-room 압력제어기) 는 복도에 비해 양압(+)이 유지되도록 설정되어 있다.
대기에 가까우면 공기는 압축될 수 없기 때문에 압력제어기 loop는 빠르고 안정적이다.
Loop가 힘을 받았을 때, DPS-1은 순환 공기 제어 damper(RAR-1)를 미리 설정해 놓은 지점까지 빠르게 회전시킨다.
이 때, 전기모터는 damper의 회전을 멈추고, 개방상태가 된다.
참고 자료
없음
