MOSFET MEASUREMENT-결과 보고서

소개글

1. 실험 목표- N채널과 P채널 MOS 트랜지스터의 기본 성질을 숙지하고, MOS를 이용한 기본적인 응용을 실험한다.2. 실험 준비물- 다양한 단위값을 갖는 저항들, 0.1μF 커패시터 - 전원 공급기 필터, 범용 DVM 2개- 듀얼 전원 공급기, 신호 발생기- 10× 프로브의 2채널 오실로스코프- CD 4007 MOS array3. 실험에 관한 간략한 이론- MOSFET란 MOSFET는 흔히 MOS라고 약하여 부르며 반도체 기억소자로 집적도를 높일 수 있는 특징이 있어 대규모 집적회로에 많이 쓰인며, MOS는 Metal Oxide Semiconductor를 약칭한다. 전도채널의 형식에 따라 n-채널과 p-채널로 구분되며 각각 구조상 증가형(Enhancement type)과 공핍형(Depletion type) 으로 구분한다.

목차

1. 실험 목표
2. 실험 준비물
3. 실험 결과
4. 실험 결과 분석

본문내용

1. 실험 목표

- N채널과 P채널 MOS 트랜지스터의 기본 성질을 숙지하고, MOS를 이용한 기본적인 응용을 실험한다.

2. 실험 준비물

- 다양한 단위값을 갖는 저항들, 0.1μF 커패시터
- 전원 공급기 필터, 범용 DVM 2개
- 듀얼 전원 공급기, 신호 발생기
- 10× 프로브의 2채널 오실로스코프
- CD 4007 MOS array

3. 실험에 관한 간략한 이론

- MOSFET란
MOSFET는 흔히 MOS라고 약하여 부르며 반도체 기억소자로 집적도를 높일 수 있는 특징이 있어 대규모 집적회로에 많이 쓰인며, MOS는 Metal Oxide Semiconductor를 약칭한다. 전도채널의 형식에 따라 n-채널과 p-채널로 구분되며 각각 구조상 증가형(Enhancement type)과 공핍형(Depletion type) 으로 구분한다.

• 증가형은 게이트전압이 0일 때에는 드레인 전류가 흐르지 않으며 게이트 전압의
증가에 따라 출력전류가 증가한다.
• 공핍형은 게이트전압이 0일 때에도 드레인 전류가 흐르며 게이트 전압이
역 바이어스로 증가하면서 감소하는 특징이 있다.

- 동작원리
• 소스와 드레인 사이의 게이트 전압에 의해 조절한다.
• P형기판인 실리콘에는 전류의 자유전자의 수가 매우 적으므로 소스와 드레인 사이 의 높은 전압을 가해도 기판의 저항이 너무 크기 때문에 전류가 흐를 수 없다.

참고 자료

없음