2011.4.28 MOSFET 특성 실험

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전자회로실험, opamp, 예비보고서, 전자회로

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실험 8. MOSFET 특성실험
1. 사용 장비 및 부품
·전원공급기
·디지털 멀티미터
·MOSFET : Enhancement mode n-type 소자
·저항 : 1㏀, 10㏀, 1㏁, 4㏁
2.실험방법
1) MOSFET 특성곡선
그림 5.1 MOSFET 특성곡선
1) 그림 5.1의 회로를 구성하고, VGS=4V로 둔다.
2) VDS를 0V에서 5V로 0.25V씩 증가시키면서 ID를 측정하여 기록한다.
3) VGS를 1V씩 감소시키면서 2)의 실험을 반복한다. VGS가 문턱전압에 도달할 때까지 반복한다.
4) 측정 데이터로부터 Kn값 및 문턱 전압을 구한다.
5)측정 데이터로부터 MOSFET의 특성 곡선 그래프를 그린다.
또한 linear region, saturation region, cut-off region을 표시한다.
표 5-1 MOSFET 특성 실험
.
문턱전압 V
→ 우선 영역별로 특징을 보면, 먼저 트랜지스터가 작동하지 않을 때의 영역을 Cut-off region이라고 한다. 즉 가 0보다 작을 때이다. 이 영역에서는 MOSFET에 전류가 흐르지 않는다. 두 번째로 가 보다 작을 때는 linear region 또는 Triode region 이라고 한다. 이 linear region에서의 전류 방정식은
세 번째로 가 보다 크거나 같을 때의 영역은 바로 Saturation region 이다.
이 때의 전류 방정식은
각 영역에서의 전류방정식을 보면 우선 linear region에서는 전류가 가 증가함에 따라
전류 도 증가하는 것을 알 수 있고, Saturation region에서는 가 증가해도 흐르는 전
류가 일정하다는 것을 알 수 있다.

참고 자료

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