Silicon nanowire의 합성 결과보고서

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Silicon nanowire의 합성 결과보고서입니다.

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본문내용

결과레포트
재료 공학 실험
Silicon nanowire의 합성
1. Silicon Nanowire의 여러 가지 합성방법
- CVD를 이용한 nanowire 합성법
가열로의 길이는 약 50cm 정도이며 지름은 약 4inch 정도로 중간에 24시간 동안 분쇄(ball milling)한 Silicon Monoxide(SiO) + Boron Oxide (BO) powder를 가열로의 중앙에 위치시킨다. 가열로에는 아르곤(Ar) 95% + 수소(5%) 혼합가스가 주입되어 가열로를 통과하여 빠져 나가가되며 가스가 빠져나가는 출구에 펌프를 설치하여 약 500mTorr 정도로 가열로 내의 압력을 유지하였다. 주입가스에 수소를 첨가하는 이유는 아르곤만을 사용할 경우에 도핑농도가 높아지는 단점을 보완하는 역할을 한다. SiO의 증발온도(Evaporation Temperature)는 1100 ～ 1400℃ 정도로 가열로의 중간에서 SiO + BO powder가 증발되고 가열로의 온도가 1100℃이하로 떨어지는 지점 부근에 위치시킨 알루미나(Al2O3) 기판 위에 실리콘 나노와이어가 성장하게 된다.
- 나노와이어 VLS 공정

참고 자료

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