PEALD, Plasma Enhanced 원자층 증착

소개글

A+ 받은 자료 입니다.
그림 많고 내용도 구하기 어려운 자료들입니다.
잘 정리 되어 있습니다.

목차

1. 기존 ALD의 한계

2. PEALD의 특징

3. PEALD의 장점

4. Plasma의 정의

5. Plasma의 반응기구

6. Diffusion barrier의 필요성

7. TaN Diffusion barrier

8. PEALD를 이용한 TaN Diffusion barrier 형성

9. TaN Diffusion barrier 형성 응용 기술 - 전처리 및 후처리 공정-

본문내용

[기존 ALD의 한계]

기존 ALD 증착의 가장 일반적인 방법인 halide 계통 소스와 H2O를 가지고 산화막을 증착할 경우 반응성이 좋은 장점이 있지만 대부분의 halide 계통 소스는 고체 상태이기 때문에 산업 현장에는 생산성이 낮아 적용하기가 힘든 단점이 있다. 그리고 공정 부산물로 나오는 HCL이 장비를 부식시키기 때문에 관리하는 것에서도 많은 문제점이 나타난다.

또한 CVD와는 달리 ALD는 전구체가 분해되는 대신 화학 흡착을 하여 이후 반응 가스와 반응을 해야 한다. 따라서 ALD 반응은 소스의 열분해가 일어나지 않는 낮은 온도와 반응물 사이의 화학 반응이 시작되는 온도 이상의 구간에서 이루어져야 한다. 낮은 증착 온도는 공정상의 이점이 되기도 하지만, 소스와 반응 가스의 반응이 느려 공정시간이 오래 걸리거나, 불완전한 반응으로 불순물 농도를 증가시키는 원인이 되기도 한다. 따라서 ALD의 낮은 증착 속도를 높이고 불완전한 반응을 최소화 하고 purge time을 줄여 최정적으로 공정 시간을 줄일 수 있는 ALD 공정 개발이 필요하다.

참고 자료

없음