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마이크로 프로세서

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최초 등록일
2011.07.05
최종 저작일
2007.07
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소개글

마이크로 프로세서

목차

1. 목 적
2. 설계도면(또는 회로설계) 및 필요부품
3. 회로설명
4. 장치개발시 문제점과 해결방안
5. 자기의 역할
6. 결론

본문내용

1. 목 적

저희 4조에서는 큐피트화살 하트 키드에 대해 알아보았습니다. 그 이유는 트랜지스터, 콘덴서, 저항의 원리를 알아보기 위한 실험으로써 LED의 점등이 어떻게 이루어지는지 알아보기 위하여 큐피트화살 하트 키드를 만들어 보고 트랜지스터, 콘덴서, 저항이 어떤 영향을 주어 동작하는지 원리를 파악해보는 실험입니다.

2. 동작원리
(1)트렌지스터
트랜지스터는 기본적으로 P형과 N형의 3층구조로 되어 있고, 각각의 역할은 다음과 같다.
① 이미터(emitter : E) : 전류의 반송자로 주입하는 전류
② 베이스(base : B) : 주입된 반송자를 제어하는 전류공급
③ 컬렉터(collectoer : C) : 전류의 반송자를 모으는 부분의 전극

위 그림은 PNP형 트랜지스터의 회로이고, 트랜지스터는 증폭작용을 주 목적으로 하는 소자로써 PN접합 다이오드 2개를 연속적으로 접합시킨 구조를 하고 있으며 접합순서에 따라 NPN트랜지스터와 PNP트랜지스터로 나눌 수 있다. 이들 트랜지스터는 세 개의 단자중 1-2개를 공통 단자로 하고 나머지 하나는 입력단자, 또 다른 하나는 출력단자로 하여 다양한 증폭작용을 할 수 있다.
※ 실제로는 NPN형 트랜지스터가 많이 쓰인다. : NPN형 트랜지스터는 다수의 캐리어가 전자이고, PNP형 트랜지스터는 다수의 캐리어가 정공인데, 전자가 정공보다 이동이 빠르므로 전류도 풍부하게 나오므로 NPN형은 주로 고주파회로에, PNP형은 주로 저주파회로에 많이 쓰인다.

양쪽의 N형 반도체, 즉 컬렉터에 비해 이미터 쪽의 다수캐리어 농도를 훨씬 크게 도우핑하므로써 기능상 차별을 기함과 동시에 전류전도의 효율을 기한다.

참고 자료

없음
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