저잡음 증폭기에 관한 졸업논문

소개글

저잡을 증폭기 설계에 관한 글입니다.
외국원서 및 국내외 논문을 참조하여 줄일 수 있는 만큼 최소화한 내용입니다.
실제 설계를 하지는 않고, 시뮬레이터를 이용한 단계까지 완료할때 참조하였습니다.

목차

Ⅰ.서 론
Ⅱ. LNA 기본적인 이론
1. 안정도 판별
2.전력 이득(POWER GAIN)
3.임피던스 매칭회로
4.증폭기의 잡음지수

본문내용

저잡음 증폭기 LNA (Low Noise Amplifier)
요 약
현재 우리가 사용하는 통신시스템에서 수신된 전력은 감쇄 및 잡음의 영향으로 인해 매우 낮은 전력레벨을 갖고 있다, 그렇기 때문에 반드시 증폭이 필요한데, 이미 외부에서 많은 잡음을 포함해서 날아온 신호이기 때문에 무엇보다도 잡음을 최소화하는 증폭기능이 필요하기에 LNA는 필수적으로 존재한다. 이에 따라 우리가 사용하는 이동통신의 NA를 Serenade를 이용하여 설계를 해보았다.
Ⅰ.서 론
이동통신 및 위성통신의 급진적인 발전에 따라 통신사용자의 수도 급격히 증가하고 있다. 이러한 사용자의 급증에 의하여 통신에서도 만족시키기 위하여 사용주파수도 점점 증가하고 있는 실정이다. 사용주파수가 높아짐에 따라 고주파부분의 연구가 점차확대 되고 있는 실정이다. 고주파에 사용되는 소자는 직접기술에 의해 점점 소형화, 경량화 되어가고 있는 실정이다. 현재 통용되는 현대적인 의미의 이동통신은 세계적으로 80년대 초부터 서비스가 시작된 아날로그 셀룰러 이동통신시스템이다. 이 방식은 이전의 광역방식 대신에 지역을 많은 셀(cell)로 나누어, 각 셀마다 소출력의 기지국을 두는 셀룰러 통신시스템에 의해 시작되었다. 각 기지국에서 보내는 송신신호는 지형환경과, 주변건물등에 의하여 미약한 신호가 수신되고, 또한 상당량의 잡음도 포함되어 있기 때문에, 이동통신 단말기의 수신단 증폭기는 저잡음용 증폭기를 사용하여야 한다. 저잡음용 소자로는 BJT(Bipolar Junction Transistor)를 사용하며 그 이상의 주파수에서는 GaAs MESFET, HEMT(High Electron Mobility Transistor)등이 주로 사용된다. 사용가능한 능동소자로는 HP(HEWLETT PACKARD)가 제공하며 Serenade로 Simulation이 가능한 ATF-25170,
ATF-21170, ATF-10236(STR)을 사용하였다. 본 논문은 총 4장으로 구성되어 있으며 1장과 2장에서는 기본이론과 설계에 필

참고 자료

없음