[공학]【A+】반도체공정기술[단위공정]

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목차

[1] Wafer 판별법
[2] 다결정 Si의 제조
[3] 단결정 Si ingot 제조
[4] 산화막 성장 (SiO2 ; Thermal Oxidation of Si)
[5] 사진 식각 (Photo Lithography)
[6] 확산 공정 (Diffusion of impurity)
[7] 이온 주입법 (Ion Implantation)
[8] CVD (Chemical Vapor Deposition)막 성장공정
[9] 금속막 증착 공정

본문내용

[3] 단결정 Si ingot 제조

1. 용융체로부터 성장
1) 수평 Bridgeman 법
2) Czochralski 법
3) Liquid Encapsulated Czochralski 법 (LEC 법)
4) Zone refining 법
5) Floating-zone growth 법. 등

2. 반도체와 어떤 금속의 용액으로부터 성장
· Liquid Phase Epitaxy 법 (LPE 법)

3. 증기 형태로부터 성장
· Vaphor Phase Epitaxy 법 (VPE 법)
· Chemical Vaphor Deposition 법 (CVD 법)
· Metal-Organic CVD법 (MOCVD 법)

4. 분자선 형태로부터 성장
· Molecular-Beam Epitaxy 법 (MBE 법) 등.

* Epitaxy ; 1,000 ~ 1,250℃ 범위
단결정 기판 (single crystal substrate) 위에, 기판과 동일한 원자 배열을 갖는 단결정 층을 쌓는 것
· 불순물 원자를 인위적으로 첨가 (불순물 농도 분포를 조절가능)
→ 단결정층의 전기적 특성 조절

참고 자료

없음