5. LEAD FRAME 가공법

소개글

반도체 조립공정 Package Lead Frame 가공법에 대하여 상세히 설명된 자료입니다.

목차

1. ETCHING 가공

1.1 가공소재인 금속박판의 준비

1.2 노광용 원판의 준비

1.3 탈지 등 금속박판의 전처리

1.4 PHOTO RESIST 의 도포

1.5 PRE BAKING

1.6 노광

1.7 현상, 수세, 건조

1.8 POST BAKING

1.9 ETCHING

1.10 박막

1.11 계측, 외관검사, 신뢰성시험

2. PRESS 가공

2.1 서론

2.2 표면실장용의 LEAD FRAME 형상

2.3 표면실장형 LEAD FRAME 의 소재상 문제점

2.4 표면실장형 LEAD FRAME 의 PRESS 가공상의 문제점

2.5 LEAD FRAME 소재의 이방성에 의한 문제

2.6 끝맺음

3. 도금가공

3.1 도금의 필요특성

3.2 도금 PROCESS

5.3 도금피막

본문내용

1. ETCHING 가공
LEAD FRAME 은, CHIP 의 고정과 방열은 물론, 외부전기회로와 전기적
정보를 주고 받아야 하므로, 외부로는 접속해야할 PRINT 배선판 등의
회로에, 내부로는 탑재된 CHIP 의 PAD 에, 각각의 위치칫수에 맞도록
LEAD 가 설계되고, 가공된다.
반도체실장요구는, 고밀도실장성(소형화), 다기능성(입출력의 다핀화),
조립용이성(대용량•소형화, 형상의 단순화), 경제성(LOW COST 화),
고신뢰성 등으로 대개 집약된다. 이에 따라, 현재 Fe•Ni 계 ALLOY42
와 Cu 계 합금으로 2분되어 있는 LEAD FRAME 재료에도, 도전성, 기계
강도성, 방열성, 미세가공성, 전기도금성, 경제성 등 다방면에 걸쳐
엄격한 기능이 요구되고 있다. 더우기, 봉지용수지와의 밀착성도
내후성상(耐候性上) 고려되고 있으며, 이들 요구에 따라 INNER LEAD
선단부는 80㎛ 정도의 가는 선폭과 간격이 되고 있다.
LEAD FRAME 제조에는, 금속박판의 미세가공법인 PHOTO ETCHING 법과
PRESS STAMPING 법이 주로 적용되지만, 여기서는 기술적으로 유연성이
있고, 그럼에도 불구하고 완성된 제품에 BURR 나 가공변질이 없으며,
높은 칫수정도로 LEAD FRAME 을 제조할 수 있는 PHOTO ETCHING 법에
관해 기술적으로 검토한다. PHOTO ETCHING 법의 개략은, 다음과 같다.
① 가공소재인 금속박판의 준비
② 노광용 원판의 준비
③ 탈지(脫脂) 등 금속박판의 전처리
④ 금속박판의 표리 양면에 PHOTO RESIST(주로 NEGA 형의 감광성수지)
를 도포하여, RESIST 막 형성

참고 자료

없음