6. 접속법(Wire Bonding)

소개글

반도체 조립공정 Package Wire Bonding공정에 대하여 상세히 설명된 자료입니다.

목차

1. 접속방법

1.1 서론

1.2 고밀도 WIRE BONDING 의 기술적과제

1.3 고밀도 WIRE BONDING 의 요소기술

1.4 결론

2. Au BONDING WIRE

2.1 서론

2.2 Au WIRE 제조법

2.3 PACKAGE 와 BONDING WIRE

2.4 Au WIRE 의 특징

2.5 Au WIRE 의 BONDING

2.6 Au WIRE 의 성질

2.7 Au WIRE 의 종류

2.8 Au WIRE 의 BONDING 에서의 문제점

2.9 결론

본문내용

1. 접속방법
1.1 서론
표면실장 PACKAGE 의 보급은 LSI 제품의 고밀도실장화를 가능하게
하고, CHIP 의 고집적도화와 더불어 PACKAGE 의 다핀화를 가속하고
있다. PACKAGE 의 다핀화에 대응하기 위한 배선접속방법에 관해,
여러가지 고밀도접속화의 구체대책이 다듬어지고 있다.
대표적인 접속방법인 WIRE BONDING 방식과 TAB(TAPE AUTOMATED
BONDING)방식을 비교하면, COST 면에서는 접속핀수가 대략 150 PIN
이하가 WIRE BONDING, 150 PIN 이상이 TAB 으로 향해 가고 있다.
또 다핀화의 한계에 대해서는, WIRE BONDING 이 200 PIN, TAB 이
300 PIN 정도라고 예상되고 있다. 어느 방식에 대해서도, PACKAGE
배선간극을 축소하여 CHIP COST 를 억제하는 것이 중요한 과제이고,
금후 이것을 향해 더욱 기술개발이 진행되리라 예상된다.
여기서는, 현재 접속방법의 주류인 WIRE BONDING 방식중,
그림 134 에 나타낸 NAIL HEAD 식(초음파열압착) WIRE BONDING 의
고밀도화로 대상을 좁혀 그 현상과 기술동향을 설명한다.

참고 자료

없음