BONDING WIRE(1)

목차

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본문내용

Ⅰ. BONDING WIRE
1. 서론
반도체 DEVICE 의 PAD(Al 전극)와 PACKAGE 의 외부단자(LEAD)를
전기적으로 접속하는 방법은, 금속세선(BONDING WIRE)에 의한 WIRE
BONDING 이 주류를 이루고 있다. LSI 의 WIRE BONDING 은, 더우기
Au WIRE 를 사용한 BALL(열압착) BONDING 과 Al-1％Si WIRE 를 사용한
WEDGE(초음파) BONDING 으로 대별되고, PACKAGE 에 따라 구분 사용
된다.
본고에서는, 최근의 DEVICE·PACKAGE 동향을 알아보고, 종래부터
LSI 에 사용되고 있는 BONDING WIRE(Au WIRE 와 Al-1％Si WIRE)및
그 대체 BONDING WIRE 의 현상과 과제에 대하여 설명한다.
2. 종래부터 사용되고 있는 BONDING WIRE
2.1 Au WIRE
Au WIRE 는, 열경화성 수지로 봉지되는 PLASTIC PACKAGE 의
BONDING WIRE 로 사용되고 있다. PLASTIC PACKAGE 는, 결선방향
에 자유도를 갖기 때문에 생산성이 뛰어난 BALL BONDING 으로
접속된다. BALL BONDING 은, 전기 TORCH 의 방전에 의해 WIRE
끝을 용융함으로써 BALL 을 형성하고, CAPILLARY 로 BALL 을
PAD 에 열압착(접합)한 후, INNER LEAD 와 열압착하는 방법이다

참고 자료

없음