p-n 접합,제너 다이오드

소개글

P-N다이오드 , 제너 다이오드 의 이론 및 실험 리포트

목차

1. p-n 접합 다이오드


1.1) 실험 목적 -1-
1.2) 실험 관련 이론 -1-
1.3) 실험 순서 -3-
1.4) 검토 및 고찰 -5-

2. 제너(Zener) 다이오드


2.1) 실험 목적 -6-
2.2) 실험 관련 이론 -6-
2.3) 실험 순서 -7-
2.4) 검토 및 고찰 -9-

본문내용

1. p-n 접합 다이오드
1.1) 실험 목적
접합 다이오드의 전류-전압 특성을 실험적으로 조사한다.
1.2) 실험 관련 이론
그림 17.1에서 보여 주는 것처럼 p형 n형 반도체를 접합시키면 접합 다이오드가 만들어진다.
그림 17.1
p형 영역을 애노드(A)라 부르고 n형 영역을 캐소드(K)라 부른다.
보통 큰 다이오드에서는 애노드와 캐소드를 구별하기 위해서 다이오드 모양이 그려져 있으나 적은 다이오드에서는 캐소드 쪽에 띠가 그려져 있다.
p형 반도체와 n형 반도체가 접합을 이루면 그 경계면에 공간전하 영역이 생기고 그렇기 때문에 적은 접촉전위가 생긴다.
-1-
매우 높은 전류 때의 경우와 Zener 항복 영역을 제외하고는 반도체 다이오드의 전류-전압 특성은 Shockley 다이오드 식을 따른다.
여기서 q는 전하, k는 Boltzmann 상수 는 역방향 포하 전류, 는 절대온도이며 은 1과 2 사이의 값을 갖는 상수이다.
그림 17.3은 일반적인 다이오드의 전류-전압 특성을 보여주고 있다.
여기서 순방향 바이어스의 눈금과 역방향 바이어스의 눈금이 서로 다른 것에 주의하라. 순방향으로 바이어스 될 때 순방향 전압 가 접촉전위보다 크게 될 때 까지는 작은 전류가 흐르나 크게 되면 전류는 급격히 증가하게 된다. 이 때 전류가 크게 흐르므로
그 다이오드는 매우 낮은 순방향 저항값을 갖는다.
그림 17.3
그와 반대로 역방향 바이어스 될 때는 거의 전류가 흐르지 않고 단지 역방향 포화전류
가 흐른다.
이 경우는 매우 작은 역방향 포화전류가 흐르므로 이 다이오드는 매우 높은 저항값을
갖는다.

참고 자료

없음