소신호 MOSFET 증폭기(Pspice 포함)

*세*

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최초 등록일: 2011.10.05
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소신호 mosfet 증폭기 실험 발표자료입니다.

pspice 예상 simulation 포함입니다.

본문내용

소신호 MOSFET 증폭기
MOSFET를 사용하는 소스 공통 증폭기(common-source amplifier)에서 소신호 컨덕턴스와 드레인 전류와의 관계를 배운다.
MOSFET과 저항으로 구성된 차동 증폭기의 소신호 공통 모드 및 차동 모드 이득을 계산한다.
높은 이득을 가진 연산 증폭기를 위해 능동소자로 구성된 전류원을 부하로 사용하는 차동 증폭기의 특성을 관찰한다.
실험 목적
2. 이론
1) 소신호 선형 증폭기
(small-signal linear amplifier)
i
(1)기본이론
그림 15-1. 포화영역에서 동작하는 NMOSFET
포화영역에 있는 조건 식
VGS VTR , VDS VGS VTR
스위치가 켜지고, 채널이 형성되어
드레인과 소스사이에 전류가 흐르는
것을 허용한다. 드레인 전압이 게이트
전압보다 높아서 채널중의 일부분이
없어진다. 드레인 전류는 드레인 전
압에 의존되지 않고 전류는 게이트-
소스 전압에 의해서만 제어되며, 이러한
조건에서 드레인 전류 방정식 및 드랜스
컨덕턴스gm :
= K(VGS-VTR)²
gm = 2√(KID)

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