플래시메모리 기능, 종류, 동작원리, 향후발전방향

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플래시메모리 기능, 종류, 동작원리, 향후발전방향

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플래시메모리 [flash memory]
- 기능
소비전력이 작고, 전원이 꺼지더라도 저장된 정보가 사라지지 않은 채 유지되는 특성을 지닌다. 곧 계속해서 전원이 공급되는 비휘발성 메모리로, D-RAM과 달리 전원이 끊기더라도 저장된 정보를 그대로 보존 할 수 있을 뿐 아니라 정보의 입출력도 자유로워 디지털 텔레비전디지털 캠코더휴대전화디지털 카메라개인휴대단말기(PDA)게임기MP3플레이어 등에 널리 이용된다. 블록단위로 내용을 지울 수도 있고, 다시 프로그램 할 수도 있다. 플래시메모리는 EEPROM의 변형 중 하나인데, 바이트 레벨에서 지울 수도 있고 수정할 수도 있는 EEPROM과는 달리 블록 단위로 수정되기 때문에 속도가 빠르다. 플래시메모리는 종종 PC의 바이오스와 같은 제어코드를 저장하는데 사용된다. 바이오스를 수정해야할 필요가 있을 때, 플래시메모리는 바이트 단위가 아닌 블록 단위로 기록되므로 수정이 쉽다. 한편, 플래시메모리가 일반 램처럼 유용하지는 못한 이유는, 램은 블록이 아닌 바이트 단위의 주소 지정이 가능해야하기 때문이다.
- 동작원리
◀스택형 구조의 셀 단면도
스택형 구조의 NAND형 플래시 메모리 셀 단면도로 서, 실리콘 기판과 제어게이트 사이에 부유 게이트를 끼운 통상의 EPROM 셀과 같은 2층 다결정 실리콘 게이트 구조로 되어있다. 채널부의 게이트 산화막은 터널 산화막으로도 사용되기 때문에 산화막 두께는 100Å로 얇다. 부유 게이트와 제어 게이트간 절연막 은 ONO(Oxide- Nitride-Oxide)의 3층 구조로 되어있다. 셀 면적은 DRAM에서 필요한 커패시터가 없기 때문에 약 반이 되고, NOR형 플래시 메모리의 약 80% 정도가 되고 있다.

참고 자료

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