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FET와 BJT의 장단점

*치*
최초 등록일
2011.10.24
최종 저작일
2010.03
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FET와 BJT의 장단점

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본문내용

FET와 BJT의 장단점
FET의 성질
*접합형 FET : 입력 게이트가 반도체의 접합으로 구성되어 있는 FET로 트랜
지스터와 비교하여 훨씬 적은 입력 전류로 동작한다
*MOS형 FET : 입력 게이트가 산화 실리콘 박막으로 절연되어 있는 FET로
상당히 높은 입력 임피던스를 갖고있는 것이 특징이다
FET의 장점은 구동전류 (게이트 전류)가 거의 흐르지 않기 때문에 전력 사용 효율
이 소전력을 사용하는 것에서는 TR보다 좋고동급의 전력을 취급시 드레인 소스간 전압 강하가 TR에 비해서 적기 때문에 전력이용률이 높다단점으로는 직선 증폭 작용이 TR과 비교할때 비선형이고 게이트 전압의 드라이브가까다롭기 때문에 단순한 스위칭의 용도로는 적합하나 직선 증폭용으로는 부적합 하다
① 전자나 정공 중 하나의 반송자에 의해서만 동작하는 단극성 소자(UJT)
② 다수캐리어에 의해 동작하며 게이트의 역전압에 의해 드레인 전류가 제어되므로 전압제어소자
③ BJT에 비해 입출력 임피던스가 높아서 전압증폭소자로 사용
④ 소형화 가능, 전력소비 적어 대규모 IC 에 적합( u-P, 메모리 등)

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