전자회로실험05예비-트랜지스터의 DC 특성

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목차

실험 목적

기초 이론

예비 과제

시뮬레이션

본문내용

실험 목적
(1) Transistor의 바이어스에 익숙해진다.
(2) 에미터-베이스 회로에서 순방향 및 역방향 바이어스가 에미터-베이스 전류에 미치는 영향을 측정한다.
(3) ICBO를 측정한다.
(4) CE 구성에 대한 VCE 대 IC 특성 곡선을 실험적으로 결정한다.
(5) β값을 결정한다.

기초 이론
트랜지스터(transistor)는 3층 반도체 소자이다. pnp형과 npn형의 두 가지의 형의 트랜지스터가 있다. 그림 5-1에서 트랜지스터는 적당한 DC 바이어스가 되어 있다. DC 바이어스는 신호(ac 또는 DC)증폭을 위해 적당한 동작 영역을 확립하는 데 반드시 필요하다.
트랜지스터는 3단자 소자이므로 4단자망 회로에 적용하기 위해서는 세 단자 중 어느 한 단자를 입력과 출력에 공통으로 하여야 하는데, 여기에는 세 가지의 공통 구성 방법이 있다. 베이스 공통(common-base) 구성, 에미터 공통(common-emitter) 구성, 콜렉터 공통(common-collector) 구성인데, 이 들 각각이 전기적 특성이 달라지기 때문에 적절하게 이용된다. 여기서 전기적 특성이라는 것은 전압 이득, 전류 이득, 입력 저항, 출력 저항, 위상 관계 등을 말한다.
베이스 수송 계수(base transport factor)
에미터 주입 효율(emitter injection efficiency)
전류 전달비(current transfer ratio)

참고 자료

없음