ZnO 기판 기술현황 및 문제점

소개글

ZnO 기판 기술현황 및 문제점

목차

1.1 ZnO 기판

1.2 ZnO 기판 생산업체

1.3 ZnO 기판 기술적 문제점

본문내용

ZnO 기판 기술현황 및 문제점

1.1 ZnO 기판
- 2006년 hydrothermal법으로 성장시킨 비교적 양질의 ZnO 단결정 웨이퍼가 시판되기 시작하였으나 가격이 매우 비싸 실제로 양산에 이용하기는 어려운 실정임.
- 아직 개발 초기 단계로 일본, 미국, 한국 등이 각축을 벌이고 있음. 현재 국내 학계에서의 연구가 활발하므로 기술 고지의 선점 가능성이 충분함.
- GaN와 격자상수 차이가 비슷하고, 전기 전도성이 좋으며, Rohm 등 일본업계 중심으로 개발 중. 2010년 이후 상용화를 목표에 두고 있음.
- ZnO 단결정 웨이퍼가 시판되고 있어, homoepitaxy가 가능하기 때문에 제품 생산 수율이 높고 생산단가 또한 낮을 것으로 기대됨.
- ZnO를 광소자 제작용 반도체 기판으로 사용하기 위해서는 에피층의 성장이 필수적.
- ZnO와 비슷한 특성을 가진 GaN에 비해 Si기판 위에서의 에피층 성장이 용이.
(Si 기판 위에 ZnO 에피층을 성장시키는 데에는 500℃ 정도의 비교적 저온에서도 양질의 에피층 성장이 가능)

참고 자료

없음