MOS 소자 형성 및 C-V특성 평가

소개글

MOS반도체 소자의 제조법을 알고 그 메모리의 크기와 특성을 알아봅니다.

목차

1. 실험목적
2. 이론적 배경
3. 실험방법
4. 실험결과

본문내용

1. 실험목적
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)소자를 직접 제작하고, 작동원리를 이해한다.

2. 이론적 배경
MOS소자란 반도체위에 산화피막을 이용한 트랜지스터이다. 반도체 위에 산화피막을 형성하고 그 위에 금속게이트를 배치한구조이다. 가운데의 산화막은 절연체로서 유전율이 크며
절연층의 두께에 따른 Capacitance를 측정하는 것이 실험의 중요한 목적이다.

Metal
Oxide
(A) (C) (B)

Semiconductor(Si)
(a) : source (b) : drain
MOS는 반도체 기억소자로 집적도를 높일수 있는 특징이 있어 대규모 직접회로에 많이 쓰인다. MOS 소자는 메모리의 최소단위를 가지며 1bit이다. 이 용량을 늘림으로써 유용하게 사용될 수 있다. MOS소자의 동작원리는 (A)의 source와 (B)의 drain사이의 게이트 전압에 의해 조절한다. 게이트전압을 가하면 중간의 절연체인 Oxide 때문에 전류가 흐를수 없다가 Si기판과 Oxide경계면에 전자가 모이게 되어 전도채널이 형성되어 전류가 흐르게 된다. (C)부분의 간격은 메모리 용량을 늘리기 위해 작게 한다. 이 간격을 작게하면 상대적으로 절연체 두께가 두꺼우므로 전자를 잘 끌지를 못하므로 산화막두께를 줄인다.

참고 자료

없음