기초실험및설계 : 트랜지스터 예비보고서
- 최초 등록일
- 2011.12.27
- 최종 저작일
- 2010.04
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소개글
트랜지스터의 기능과 종류를 알아보고, 트랜지스터를 사용한 스위칭 회로 및 전류 증폭 회로를 구성하고 특징을 살펴본다.
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목차
1. 실험목적
2. 실험이론
3. 실험방법
4. 고찰
5. 참고문헌
본문내용
트랜지스터 예비보고서
1. 실험목적
트랜지스터의 기능과 종류를 알아보고, 트랜지스터를 사용한 스위칭 회로 및 전류 증폭 회로를 구성하고 특징을 살펴본다.
2. 실험이론
트랜지스터는 3개의 단자를 가지고 있는 소자이다. 트랜지스터로 두 단자 사이의 전압을 조정하여 나머지 단자의 전류 크기를 조절할 수 있다. 트랜지스터의 전류 조절을 이용하여 증폭 회로를 만들 수 있고, 전류량을 0에 가깝게 조정하여 스위칭 회로를 만들 수도 있다.
트랜지스터의 종류는 크게 BJT와 MOSFET으로 나눌 수 있다. BJT는 Bipolar Junction Transistor의 약자로 1948년 벨 전화 연구소에서 개발되었으며 단일 소자로도 사용하며 Discrete circuit에 많이 쓰인다. MOSFET은 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor의 약자로 1970년대 이후부터 쓰이기 시작했으며 집적이 용이해 하나의 MOSFET 소자를 사용하는 것보다 많은 수의 MOSFET을 집적시킨 IC(Integrated circuit)로 사용한다.
본 실험에서는 BJT를 사용할 것이다. 다이오드가 2개의 pn층으로 이루어진 것과 비교할 때, BJT는 2개의 p형 층과 1개의 n형 층, 또는 2개의 n형 층과 1개의 p형 층으로 이루어진 3층 반도체 구조로 되어있다.
참고 자료
Richard C. Dorf, James A. Svoboda, 회로이론, 6th ed. 오일환 외 4인 역, 교보문고, 2009, pp. 148~150
Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky, Electronic Devices and Circuit Theory, 9th ed., 김수원, 박재홍 역, 사이텍미디어, 2006, pp. 146~151
Donald A. Neamen, Microelectronics; Circuit Analysis and Design, 3rd ed., McGraw-Hill, 2007, pp. 435~439
Wikipedia, Bipolar junction transistor, http://en.wikipedia.org/wiki/Bipolar_junction_transistor