[발광디스플레이 실험] CNT 성장을 위한 기본 기판 만들기

소개글

발광디스플레이 실험 보고서입니다.

목차

1. 실험목적
2. 실험기구와 장비
3. 실험과정
4. 실험이론
5. 실험결과

본문내용

CNT 성장을 위한 기본 기판 만들기
1. 실험목적
Photolithography를 이용하여 CNT 성장하기 위한 기본 기판을 만들고
Photolithography의 공정을 알 수 있다.

2. 실험기구와 장비
Spin Coater, UV 노광장치, Baker, N2 Purge, PR (Positive), CPD, Di-water, MASK, Si wafer, Nickel etchant (HNO3, HCl, Di-water), 광학현미경

3. 실험과정
1) Patterning 된 OHP Film을 준비한다(MASK).
2) Si wafer에 PR을 Sping Coating한다. 여기서 PR은 Positive PR이다.
2-1) 10초 500 RPM, 30초 2000 RPM, 10초 500 RPM 옆과 같이 순서대로 Coating한다.
3) 10분 동안 Si water를 Soft baking(110℃)한다.
4) Si wafer에 UV를 3~4초간 쏘아준다.
4-1) UV 노광장치에 Si wafer를 놓고 준비된 MASK를 놓은 뒤 노광을 진행한다.
5) Developer - Di-water - Di-water 순으로 Si wafer를 넣어 MASK 이외 부분을 완전히 제거한다.
5-1) N2 Purge로 물기를 제거한다.
6) 10분 동안 Si wafer를 Hard baking(130℃)한다.
7) Nickel etchant (HNO3, HCl, Di-water) - Di-water - Di-water 순으로 Si wafer를 넣어 etcthing을 한다.
7-1) N2 Purge로 물기를 제거한다.
8) 광학 현미경으로 실험이 잘 되었는지 확인한다.

4. 실험이론
1) Photolithography 공정과정
Photolithography 공정은 어떤 특정한 화학약품(Photo Resist)이 빛을 받으면 화학반응을 일으켜서 성질이 변화하는 원리를 이용하여, 얻고자 하는 pattern의 mask를 사용하여 빛을 선택적으로 PR에 조사함으로써 mask 의 pattern과 동일한 pattern을 형성시키는 공정이다. Photolithography 공정은 일반사진의 film에 해당하는 photo Resist를 도포하는 PR 도포공정, mask를 이용하여 선택적으로 빛을 조사하는 노광공정, 다음에 현상액을 이용하여

참고 자료

없음