SiC_반도체

소개글

신소재공학관련자료입니다.새로운소재관련 수업이구요당연히 A+입니다. 모든게 다있습니다.. 다른 자료찾아봐야 소용없습니다.제가 보장합니다.후회없으실 듯^^

목차

1. 탄화규소란?

2. 탄화규소의 구조

3. 반도체로서의 탄화규소

4. 탄화규소 제조법

5. 탄화규소의 개발이 필요한 이유

6. 기대효과

7. reference

본문내용

1. 탄화규소

탄화 규소는 반도체 재료로 가장 널리 알려져 있는 실리콘(Si)와 탄소(C)가 1:1로 결합되어 있는 재료로서 강한 공유결합성에 의해 경도가 다이아몬드 다음으로 커서 (모스경도 9.2) 19세기 후반부터 사포의 재료로 사용되어 왔다. 현재는 탄화규소 (Silicon Carbide) 라는 이름이 일반화되어 있지만, 초기에는 카보런덤(Carborundum) 이라는 이름으로 많이 알려졌다.


2. 탄화규소의 구조

탄화규소는 다양한 결정다형을 가지고 있으며, 이를 구별하기 위해 3C-SiC, 4H-SiC, 6H-SiC, 15R-SiC 등으로 구분하여 부르고 있다. 특정한 결정방향(hexagonal 축계에서 0001방향)으로의 적층주기가 달라서 생기는 것으로 여러 이름의 가장 앞선 숫자는 이들 적층 주기를 표시한다.
예를 들어 3C-SiC의 경우 3층이 하나의 단위가 되어 주기적으로 반복되고, 4H-SiC의 경우 4층, 6H-SiC의 경우 6층 등으로 구성된다. 그 다음 영문자는 결정축계를 의미하는 것으로 C는 정방정계(cubic)을 의미하며, H는 육방정계(hexagonal), R은 능면정계(Rhombohedral)을 의미한다. 넓은 의미에서 능면정계는 육방정계의 일부분이므로 소결체용 분말을 다루는 곳에서는 육방정계의 모든 상을 α상, 정방정계상을 β상으로 통칭하여 부르기도 한다. 밑의 그림은 대표저인 SiC의 결정다형들을 보여주는 그림이다. 현재 전자소자에서는 4H-SiC 6H-SiC가 주로 사용되고 있다.

참고 자료

없음