07CVD (2)

소개글

공학 레포트

목차

CVD의 정의
CVD의 원리
CVD의 장·단점
CVD의 반응
CVD의 종류

본문내용

화학 기상 증착법

기체 상태의 화합물을 공급하여 기판과의 화학적 반응을 유도함으로써 반도체 기판 위에 박막층을 형성하는 공정

외부와 차단된 반응실 안에 기판를 넣고 Gas를 공급하여 열, 플라즈마, 빛(UV or LASER), 또는 임의의 에너지에 의하여 열분해를 일으켜 기판의 성질을 변화 시키지 않고 solid Deposition를 이루는 합성 공정

CVD에서의 반응 4가지
열분해 반응 (Thermal decomposition or pyrolysis)
환원반응 (Reduction)
산화반응 (Oxidation and Hydrolysis)
탄화반응과 질화반응 (Carbides 와 Nitrides를 형성하기 위한 반응)

①열분해반응
기체상태의 화합물 AX가 열적으로 A(고체상태의 물질)와 X(기체상태의 반응부산물)로 분해되어지는 것을 나타낸다.
AX(g) → A(s) + X(g)
Ex) SiH4(g) → Si(s) + 2H2(g)


②환원반응
수소원자와 같은 다른 reactant(반응물질)의 도입이 decomposition products(분해 산물)의 제거를 촉진하는 반응으로써 간주 될 수 있음
2AX(g) + 3H2(g) → 2A(s) + 2HX(g)

Ex) WF6(g) + 3H2 → W(s) + 6HF(g)
2BCl3(g) + 3H2 → 2B(s) + 6HCl(g)

참고 자료

없음