박막공학 변수에 따른 변화

소개글

기본적인 박막함에 있어서 가장 크게 작용할 요인인 파워와 기판온도에 따른 변화, substrate 기울기, 반응기체 조성에 따른 증착특성을 살펴본다.

목차

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본문내용

Evaporator란?
Thermal-evaporator 란 물리적 증발을 이용하여 시료 표면에 금속을 증착시키는 장치이다. 알루미늄과 금 은 증발온도까지 가열되어 실리콘 웨이퍼 표면을 덮는 박막을 형성하도록 증발된다. 증착된 물질의 조성을 조절하기 위해서 증발은 진공 조건하에서 이루어진다.
evaporation의 방법으로는 thermal evaporation과e-beam evaporation, 그리고 이 둘을 조합하는 방법이 있다. Evaporation 방법은 오래된 film deposition 방법으로서 공정이 단순하고 증착 속도가 빠르며 장비의 가격이 저렴한 장점이 있는 반면 film quality가 나쁜 단점이 있다.
Thin film HIC의 제작 공정에 있어서 evaporation 방법의 필요성은 빨리 두껍게 올려야 하는 AuSn, PbSn 등의 eutectic alloy의 증착 때문이다. 일반적으로 sputtering 방법은 증착속도가 느리고 증착할 수 있는 두께의 한계가 있으며 alloy나 ceramic 등과 같이 여러 물질이 조합된 물질을 증착할 경우에 조성비를 조절하는데 어려움이 있다.

<정리
n Thermal Evaporation
박막 증착법 중 가장 기본적인 증착법
원리:
- 진공 상태에서 가열되어진 금속 물질이 기화되거나 승화시켜 증착하는 방법
특성
- 장점 : 기판의 모서리까지 전 면적 증착, 저에너지 사용
- 단점 : step coverage가 불량,
기판과 박막의 접합 강도 약함

참고 자료

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