결과보고서 실험 8. RAM (Random Access Memory)

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아주대 논리회로실험 결과

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그림 3. 2-bit random-access memory

모든 스위치는 접지로 초기화시킨다. memory를 동작시키기 위해서 처음에 memory의 각 기억소자에 정보(information)를 기억시킨다. 그런 후에 정보를 기억장치로부터 읽어낼 수 있다. 기억소자에 데이터를 넣기 위해서는 두 가지 일을 해야 한다.

1) 적당한 선택 스위치(WRITE SELECT A, In0 또는 WRITE SELECT B, In1)를 +5V에 연결함으로써 정보가 기억소자 A로 들어갈 것인지 아니면 기억소자 B로 갈 것인지를 선택한다.

2) WR0이나 WR1 스위치에 +5V를 연결함으로써 기억소자에 쓰여질 정보의 level이 “0”인지 아니면 “1”인지를 결정한다.
* 주의 : 단 한번에 하나의 bit(A 또는 B)에 하나의 level(1 또는 0)을 써야만 한다.

3) 기억장치에 정보를 쓴 후 WRITE SELECT 스위치와WRITE LEVEL 스위치를 접지상태로 돌려놓는다.

4) 1이 기억되어 있을 때는 “OUT 1”의 출력은 +0.5V보다 낮게 나오고 “OUT 0”의 출력은 +2.5V보다 높게 나온다. 0이 기억되어 있을 때는 “OUT 1”의 출력은 +2.5V보다 높게 나오고 “OUT 0”의 출력은 +0.5V보다 낮게 나온다.

5) 기억된 정보를 읽으려면 원하는 READ SELECT(OE0이나 OE1) 스위치 중 하나만 선택하여 +5V에 연결해야 한다. 스위치를 선택하는 일이 끝나면 “OUT 0”과 “OUT 1”에서 전압의 level을 읽을 수 있다. 기억소자에 들어있는 정보를 읽은 후에 READ SELECT 스위치를 접지상태로 돌려놓아야 한다.
데이터는 한번에 한 선에서 얻을 수 있다. 정보를 기억시킨 후 기억된 정보의 출력전압을 측정함으로써 F/F의 상태를 검사한다. 표 1을 작성하라.

참고 자료

- DigitalDesign, J.F.Wakerly 저, PrenticeHall, 2006