전자회로 설계 및 실험 4 이미터 공통 증폭기의 특성 예비보고서

소개글

고려대학교 전기전자전파공학부 전자회로 설계 및 실험

목차

1. 실험 목적

2. 기초 이론
교류 증폭기로서의 트랜지스터

3. 실험 부품 및 장비

4. 실험 과정

본문내용

2. 기초 이론
교류 증폭기로서의 트랜지스터
CE 회로에 접속된 트랜지스터의 베이스 전류는 컬렉터 전류를 제어한다. 또한 컬렉터 - 베이스 간 전압의 상승에 대한 컬렉터 전류의 증가는 베이스 전류의 증가보다 훨씬 더 컸다. CE 접속에서 트랜지스터의 전류 이득 는 다음과 같이 정의된다.

(9-1)

가 얻어진 바이어스 조건은 다음과 같았다.
1. 이미터-베이스 접합은 순방향 바이어스(forward bias) 되었다.
2. 컬렉터-베이스 접합은 역방향 바이어스(reverse bias) 되었다.

트랜지스터 증폭기는 직류 또는 교류 전류 및 전압을 증폭하는 데 사용된다. 본 실험에서는 교류 전류와 전압 증폭기에 대해서 실험한다.

그림 9-1 이미터 접지 증폭기로 사용된 NPN 트랜지스터


위의 그림 9-1은 이미터 접지 교류 증폭기로 사용된 NPN 트랜지스터의 회로를 나타낸다. 과 는 베이스-이미터 회로를 순방향 바이어스시키기 위해서 사용된다. 는 컬렉터 전류를 공급함과 동시에 또 과 로 구성되는 베이스 바이어스 분압기(base bias voltage divider)에 대한 전압원으로 작용한다. 입력 신호 은 를 통해 컬렉터부터 얻어진다.

이미 배운 트랜지스터 특성 실험으로부터, 소량의 베이스 전류의 증가로 인한 컬렉터 전류의 변화는 비교적 큼을 알고 있다. 또한 소량의 베이스 전류의 감소는 컬렉터 전류의 비교적 큰 감소를 가져온다. 또한 베이스 회로와 컬렉터 회로에서의 전류는 동상(同相, in phase)이다.
에 의해 베이스 회로에 결합된 입력 신호 전류는 기준-베이스(바이어스) 전류에 중첩되어 베이스 전류를 증가 또는 감소시킨다. 그림 9-2의 전류 파형은 이와 같은 상태를 나타낸다.
만약 증폭기가 트랜지스터 특성의 선형 영역에서 동작한다면, 베이스 회로 전류의 이러한 정현파적 변화는 베이스 전류와 동상이며 정현파적으로 변하는 컬렉터 전류를 발생시킨다. 베이스 전류가 증가함에 따라, 을 흐르는 전류도 증가하며, 따라서 양단의 전압 강하도 커진다. 부하 저항 에 걸리는 전압 강하의 증가는 를 감소시킨다.
(9-2)

참고 자료

없음