PKG Process(Normal Process)

소개글

반도체 Package관련 구조와 Process Flow가 잘 설명되어 있습니다.

목차

1. PKG Type & Structure

2. Assembly Process Flow

3. Process Description

본문내용

FINAL TEST

3. Process Description
1) SAW
목적 : 고속의 회전 Saw Blade를 사용하여 (Tape에 접착된) Wafer에
형성된 개별 Die(Chip)을 구분, 절단하는 공정으로, Die Bond
공정에서 Die를 Leadframe에 부착 가능하게 함.







Blade (30~95um)
Wafer (280~650um)
Tape (70~120um)

Blade 회전수 : 30,000~50,000 rpm (40,000)
Cutting Depth : Max. 650um
Cutting Speed : 10~120mm/sec (80)
Kerf Width : 50um
10~20um


2) Die Bond
목적 : Saw 공정에서 분리된 각각의 Die를 Adhesive Material(접착제)이
Dispesse(도포)된 Lead Frame의 Paddle위에 접착시킨후, 열경화
시켜서 Wire Bond가 가능도록 Die를 고정시키는 공정.




Die


Epoxy

L/F Paddle


* Lead Frame
-. 제조공법
(1) Stamping L/F : 금형으로 Press 하여 제조
단가가 낮아 대량생산에 적합
(2) Etching L/F : 화학약품으로 녹여서 제조
단가가 높아 개발초기에 적용
-. 재질기준
(1) Cu 계열 : C7025, C194,C151, EFTEC 64T
(2) Alloy 계열 : Alloy42(Ni:Fe=42:58)
3) Wire Bond
목적 : Chip의 Bonding Pad 와 PKG 외부단자인 Lead Frame의
Inner Lead간을 Gold Wire를 사용하여 연결하여 전기적인
통로를 제공하는 공정.
-. 작업방식 : Ultrasonic Thermal Compression
-. Gold Wire
순도 : 99.99% Au
직경(Diameter) : 0.9, 1.0, 1.1, 1.25, 1.3 mil..
3. Process Description

참고 자료

없음