수소화된 비정질 실리콘 박막트랜지스터(비정질실리콘 TFT)

소개글

상세정리본입니다. 유용하게 쓰세요.

목차

없음

본문내용

6.2 비정질 실리콘 박막트랜지스터의 동작 원리
비정질 실리콘 박막 트랜지스터에서의 동작 영역은 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)와 JFET (Junction Field Effect Transistor)에서와 마찬가지로 크게 선형 영역 (linear region)과 포화 영역 (saturation region)의 두 가지로 구분된다. 드레인 전압이 작을 때는 드레인과 소오스 사이의 전류 전압 특성이 기본적으로 오옴익 특성을 나타내며, 따라서 드레인 전류는 드레인 전압에 비례하게 된다. 한편, 높은 드레인 전압에서는 드레인 전류가 드레인 전압의 증가에 관계없이 일정한 값을 가지는 포화영역을 나타낸다.

선형 영역 (linear region)
MOS 에서와 마찬가지로 gradual-channel 근사를 사용하게 되는데, 이는 그림 6.2에서와 같이 x 방향(수직축)의 전기장 성분은 채널 (channel)을 형성시키고, y 방향(수평축)의 전기장 성분은 비정질 실리콘을 통한 드레인 전류를 흐르게 하는 역할을 하며, 채널의 폭이 소오스에서 드레인 쪽으로 천천히 변화한다. 즉 채널의 폭은 x축에 있는 게이트 전압에만 영향을 받고 y축에는 무관하다는 가정이다.

참고 자료

N. F. Mott, and E. A. Davis, "Electronic Processes in Non-Crystalline Materials" 2nd ed. Oxford Univ. Press (Clarendon), London and New York.
C. Y. Chen, C. S. Chiang, C. Malone, and J. Kanicki, AM-LCD 96, pp. 37-40, 1996.
A. Ban, Y. Nishioka, T. Shimada, M. Okamoto, and M. Katayama, SID 96 Digest, pp. 93-96, 1996.
H. Maeda, K. Fujii, N. Yamagishi, S. Ishihara, K. Adachi and E. Takeda, SID 92 Digest, pp. 47-50, 1992.
C. S. Yang, W. W. Read, C. Arthur, E. Srinivasan and G. N. Parsons, IEEE Elec. Dev. Lett., vol. 19, pp. 180-182, 1998.
N. Hirano, N Ikeda, H. Yamaguchi, S. Nishida, Y. Hirai and S. Kaneko, IDRC 94, pp. 369-372, 1994.
S. K. Kim, Y. J. Choi, K. S. Cho, and J. Jang, J. Appl. Phys. 84, 4006, 1998.
S. K. Kim, Y. J. Choi, S. I. Cho, K. S. Cho, and J. Jang, IEEE Elec. Dev. Lett. 20, 33, 1999.
S. K. Kim, Y. J. Choi, K. S. Cho, and J. Jang, IEEE Trans. Elec. Dev., May, 1999.
Y. J. Choi, B. C. Lim, I. K. Woo, J. I. Ryu and J. Jang, J. Non-Cryst. Solids, vol. 266-269, pp. 1299-1303, 2000.
B. Popescu, M. Hundhausen, and L. Ley, J. Non-Cryst. Solids, vol. 283, pp. 155-161, 2001.
H. Fritzsche, "Amorphous Silicon and Related Materials", World Scientific, 1989.
B. C. Lim, J. H. Choi, and J. Jang, IEEE Trans. Elec. Dev., to be published.