12.접합형 전계효과 트랜지스터와

소개글

밑고 맡길수있는자료!

목차

<실험 목적>
<기초이론>
<요 약>
<실험과정>

본문내용

<실험 목적>
1. 드레인 전류 ID에 대한 드레인 소스 전압 VDS와 게이트-소스 사이의 전압 VGS의 영향을 결정한다.
2. J-FET의 드레인 특성곡선을 그린다.
3. VDS의 임의의 값에 대한 ID-VDS에 대한 J-FET 전달 특성곡선을 그린다.

<기초이론>
※ J-FET 동작
트랜지스터는 쌍극성 트랜지스터라 불리었다. 이 트랜지스터는 두 개의 접합을 가지며, 두 종류의 캐리어인 정공과 전자의 작용에 의해 동작하는 소자이다.
FET(field-effect transister) 전계효과 트랜지스터라 불리는 다른 소자가 있다. 이 소자는 한 종류의 전하에 의하여 작용하므로 단극성 소자라 부른다. FET는 접합형 FET(J-FET)와 금속산화물 반도체형 FET(MOS-FET)가 있다. 이번 실험에서는
J-FET에 관하여 다룬다.


(a)

(b)

<그림>23-1. N채널 J-FET (a)단일 게이트, (b)이중 게이트
그림에서 N-채널 J-FET의 구조를 그려놓았다. 이 트랜지스터의 3단자는 소스, 게이트, 드레인이다. 또 트랜지스터의 몸체 혹은 채널은 N형 반도체이다. 드레인과 소스의 단자는 채널 위, 아래에서 오디오 접촉으로 이루어져 있으며, 이것은 반도체 접합이 아니다. 반도체 접합으로 이루어진 채널 양쪽에 게이트라 불리는 P형 물질이 있다. 그러므로 이 소자를 접합형 FET라 부른다. P형 물질에 대한 오디오 접촉은 게이트의 단자로 작용한다. FET를 만드는 과정에서 게이트를 하나 혹은 두 개를 접합 할 수 있다. 그림(a)는 단일 게이트이며, 그림(b)는 이중 게이트 J-FET이다.
FET에서, 드레인은 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터, 소스는 이미터, 게이트는 베이스에 각각 해당된다. 그러나 단극성 트랜지스터의 작용은 쌍극성 트랜지스터와는 완전히 다르다. 이중 중요한 차이점은 J-FET에서는 드레인전류 ID는 게이트와 드레인 사이의 전압 VGS에 의하여 제어되지만, 쌍극성 트랜지스터에서 컬렉터전류는 베이스 전류에 의하여 제어된다는 점이다.

참고 자료

없음