다이오드를 이용한 반파정류 실험

소개글

다이오드를 이용한 반파정류 실험

목차

# 요약

1. 실험목적

2. 실험에 필요한 이론

3. 실험과정

4. 실험결과

5. 결과고찰

6. 결론

7. 참고문헌

본문내용

# 요약

다이오드의 전류의 순방향 흐름과 역방향흐름에 대한 특성을 이해한다. 역방향으로 전류가 흐른다면 다이오드를 통해서 전류가 흐르지 않는다. 너무 많은 양의 역전류를 흘러 보내면 다이오드에 손상이 가해진다. 물론 순방향 전류도 마찬가지이다. Ideal Diode와 Real Diode의 차이점에 관해서도 이해한다.

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b)의 진리표를 따른다.
그러나 이러한 다이오드 논리 게이트는 문제점을 갖고 있다. 입력들 중 하나가 고레벨 즉, +5V일 때, 출력은 고레벨이 될 것이다. 그러나, 그 크기는다이오드의 전압강하(=0.7V) 때문에, +5V보다 낮은 4.3V정도밖에 되지 않는다. 이 값은 +5V에 가까우므로 논리 1로서 정확하게 표시될 수 있다. 그러나 복잡한 디지탈 시스템에서 처럼, 이런 게이트들 몇 개가 직렬로 연결된다면, 다이오드의 전압강하가 더해져서 그 레벨이 더 이상 1로 읽을 수 없을 정도로 낮아지게 되는 경우가 생길 수 도 있다. 이러한 경우에는 트랜지스터와 같은 증폭소자를 이용하여 적당한 값으로 복원시킴으로 인해 해결할 수 있다.

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실험 7-4 Bonus

☞ 상학당 출판사 / 이인용 저 / 기초전자회로(基礎電子回路)


- Diode의 Reverse recovery
보통 제작 회사가 공급하는 다이오드 규격표에는 몇몇 자료가 있다. 그중에는 아직까지 고려하지 않던 역방향 회복 시간이 있고 이는 로 표시한다. 순방향 바이어스 상태에서는 n-형 물질에서부터 p-형 물질로 많은 수의 전자가 이동하며, 전도에 필요한 많은 수의 정공이 n-형 물질에 존재한다는 것을 앞서 살펴보았다. p-형 내의 전자들과 n-형 물질을 통과해 이동하는 정공들에 의해 많은 수의 소수 캐리어가 각 물질 내에 존재한다. 만약 인가된 전압의 방향이 반대 방향으로 바뀌어 역방향 바이어스 상태가 되면 다이오드가 전도 상태에서 순간적으로 비전도 상태로 바뀌는 것을 생각할 수 있다.

참고 자료

상학당 출판사 / 이인용 저 / 기초전자회로(基礎電子回路)
http://mecha.kyungnam.ac.kr/mecha/datas/prof/04%C1%D6%C2%F7_%B9%DD%B5%B5%C3%BC%20%C0%FC%C0%DA_%B4%D9%C0%CC%BF%C0%B5%E5%20%C0%FC%C0%DA%BA%CE%C7%B0.pdf
http://icc.skku.ac.kr/~rfic/image/lecture/electromagnetics/ec/ch3.pdf