[A+자료] MOSFET 실험 예비,결과보고서 입니다.

소개글

응용전자전기실험에서 MOSFET에 대한 예비결과보고서입니다.

목차

1. MOSFET 특성곡선

(1) MOSFET 특성 곡선 실험과정
(2) MOSFET 특성 곡선 실험 결과값
(3) MOSFET 특성 곡선 그래프
(4) 검토 및 결론

2. MOSFET 바이어스 회로

(1) MOSFET 바이어스 회로 실험과정
(2) MOSFET 바이어스 회로 실험 결과값
(3) 검토 및 결론

본문내용

1) 그림 5.1의 회로를 구성하고, VGS=4V로 둔다.
2) VDS를 0V에서 5V로 0.25V씩 증가시키면서 ID를 측정하여 기록한다.
3) VGS를 1V씩 감소시키면서 2)의 실험을 반복한다. VGS가 문턱전압에 도달할 때까지 반복한다.
4) 측정 데이타로부터 Kn값 및 문턱 전압을 구한다.
5) 측정 데이타로부터 MOSFET의 특성 곡선 그래프를 그린다. 또한 linear

<중 략>

가 1V, 3V, 4V일 경우는 Saturation영역을 도출할 수 없으므로 ( 소자의 영역에 의해 혹은 1V일 경우 < )
= 2V 일 때, 위의 실험데이터를 활용하여 인가된 가 약 12.5V부터 Saturation에 도달한다고 할 수 있습니다. 여기서 저항에 의한 전압강하를
고려한 를 구하면 = 인가된 전압 12.5 - 저항 x 흐르는 전류 = 12.5 - ( ) = 0.327 V
따라서 - = 조건식에 대입하여 를 구하면 2 - = 0.327 ※ = 1.673 v
region, saturation region, cut-off region을 표시한다.

<중 략>

이론값과 실험값과는 위의 결과값 표에서도 알 수 있듯이 차이를 보였는데, 앞 실험에서도 언급했듯이
공정상의 문제와 Power Supply를 이용하여 미세하게 정확한 전압을 인가 할 수 없다는 점, 계측상의
부하효과, 실험(1)에서 구했던 Kn값과 값의 부정확성을 고려한다면 오차는 존재할 수 있습니다.
오차 계선을 위해서 충분이 많은 MOSFET를 활용하여 실험하여 평균값을 내고, 회로를 최소도선을 사용
하여 구현한다면 오차를 충분히 줄일 수 있을 것입니다.

참고 자료

없음