전자회로실험7 MOSFET 기본 특성 I 예비보고서

소개글

엄청난 시간을 투자하여 작성한 보고서입니다.
당연히 A+ 받았고 보고서점수 최고점을 받았습니다.
예비실험 시뮬레이션은 물론이고 실험순서 까지도
시뮬레이션 작성하였습니다. 실험사진도 다 있고
각각의 시뮬레이션 마다 설명을 자세히 적었음은 물론
비고 및 고찰도 아주 상세하게 작성한 만큼
믿고 받으셔도 됩니다.

목차

1. 실험 목적
2. 예비 실험
3. 실험 순서

본문내용

1. 실험 목적

- 역전압이 인가된 PN접합과 MOSFET의 게이트 커패시턴스를 측정하는 것을 목표로 한다. 이들 커패시턴스의 용량은 매우 작아 (대략 pF 크기) 실험자는 breadboard와 스코프 프로브의 기생 커패시턴스 효과를 경험하게 된다. 본 실험을 마치면 다음을 이해하게 된다.
역전압이 인가된 PN접합은 커패시턴스 특성을 나타낸다.
MOSFET의 게이트에서 소자를 바라보면 커패시턴스 성분으로 인식되고 이로부터 단위면적당 게이트 커패시턴스와 게이트 산화막의 두께를 추출하게 된다.
시뮬레이션을 통해 게이트 산화막의 두께를 추출할 수 있다.
Breadboard 연결에 관한 유의사항
연결선은 가능한 짧게 하여 노이즈를 피하도록 한다. 외부 전압(DC)과 접지사이에 bypass capacitor (0.01μF ~ 0.1μF)를 연결한다.
보드에 전원을 연결하기 전에 반드시 전압을 측정하여 원하는 전압인지를 확인하고, 그 이후 먼저 전원을 `OFF` 시킨 후 보드에 연결한다. 또한 회로를 변경하기 위해서는 전원을 먼저 ‘OFF’ 시킨 수 회로를 변경한다.

2. 예비 실험
1)외부 캐패시터의 risetime 측정을 통한 캐패시턴스 계산
■ <그림 7.1>과 같이 RC 회로를 구성하며, 주파수 발생기의 주파수는 10kHz,
0-5V, 네모파(square wave)로 만든다.
■ 한주기에 대해 ,을 그린다.
■ 이 10%-90%로 변하는 시간 을 계산한다. 또한 90%-10%로 변하는 시간
를 계산한다. 이를 그래프로 표시한다.

참고 자료

없음