전자회로실험7 MOSFET 기본 특성 I 결과보고서

소개글

엄청난 시간을 투자하여 작성한 보고서입니다.
당연히 A+ 받았고 보고서점수 최고점을 받았습니다.
예비실험 시뮬레이션은 물론이고 실험순서 까지도
시뮬레이션 작성하였습니다. 실험사진도 다 있고
각각의 시뮬레이션 마다 설명을 자세히 적었음은 물론
비고 및 고찰도 아주 상세하게 작성한 만큼
믿고 받으셔도 됩니다.

목차

1. 실험 목적

2. 실험 결과 및 분석
2) 역전압이 인가된 PN다이오드의 커패시턴스 측정
3) MOSFET 게이트 커패시턴스

5. 기생 캐패시턴스 측정

본문내용

MOSFET 의 기본적인 특성들, 역전압 다이오드의 접합 캐패시턴스 및 게이트 캐패시턴스를 측정하는 방법과 이에 대한 개념을 바탕으로 이번 실험을 통해 알 수 있었던 점은 캐패시턴스의 용량은 매우 작으므로 브레드보드와 프로브의 기생 커패시턴스 효과를 알 수 있다는 것 이었습니다. 기본적인 전자회로의 개념들을 토대로 실험에 임하였는데 우선
첫 번째 실험 1은 100 pF의 커패시터를 이용하여 회로를 구성한 후에 구형파, 전압 5V 및 주파수 1kHz를 인가 하고 출력 파형이 10%~90%로 증가하는 rise-time 및 90%~10%로 감소하는 fall-time을 측정 하는 것 이었습니다. 그 결과 100pF 캐패시터의 출력 파형을 구할 수 있었고, 을 구함으로써 이를 바탕으로 공식에 대입하면 를 통해 RC값 을 구할 수 있었습니다. R값을 측정하여 C 값을 다시 계산하면 이 나오는데 100pF와 오차가 약 13pF 정도 발생 하였습니다. 시뮬레이션 결과 값은 = 2.2RC = 23.44u R= 100K 이므로 C=106.5pF 이 나왔고 약 6.5pF의 오차값이 발생 하였습니다. 캐패시터 값이 매우 작은 100pF을 사용 하였으므로 실험 기기가 아주 정밀한 것이 아닌 이상 오차가 발생 할 수 밖에 없었고, 브레드 보드의 내부 저항도 어느정도 영향을 미치기에 이상적인 값은 나오지 않았습니다.
다음으로 두 번째 실험은 역전압이 인가 된 PN 다이오드의 캐패시터를 실험 1과 동일한 방법으로 측정 하는 실험 이었는데, 다이오드의 접합 캐패시턴스가 100pF보다 작으므로 임의로 주파수를 15kHz로 인가 하였고, 값을 측정 한 결과 약 17us, 18us 이 나왔습니다. 식을 이용하여 RC 값은 이 나왔고 저항을 측정한 값인 99.718 KΩ 을 넣어 C 의 값을 계산 해보니

참고 자료

없음