전자회로실험8 MOSFET 기본 특성Ⅱ 예비보고서

소개글

엄청난 시간을 투자하여 작성한 보고서입니다.
당연히 A+ 받았고 보고서점수 최고점을 받았습니다.
예비실험 시뮬레이션은 물론이고 실험순서 까지도
시뮬레이션 작성하였습니다. 실험사진도 다 있고
각각의 시뮬레이션 마다 설명을 자세히 적었음은 물론
비고 및 고찰도 아주 상세하게 작성한 만큼
믿고 받으셔도 됩니다.

목차

1. 실험 목적
2. 예비실험
3. 실험 순서

본문내용

1. 실험 목적

본 실험의 목적은 MOSFET의 소오스-드레인 채널의 저항적 특성을 측정하는 것이다.
이 시험을 마친 후에는 다음을 이해할 수 있다.
MOSFET의 채널은 소오스-드레인의 작은 전압 VDS에 대해 작은 전류 iD가 흐르는 저항으로 이해된다.
게이트의 전압을 증가시켜 문턱전압 이상이 되면 태널의 “on” 저항 Ron이 감소한다,
CD4007에 내장된 n-, p-채널 MOSFET의 문턱전압과 전하 이동도를 결정할 수 있다.
실험으로 얻은 데이터와 추출된 변수들을 통해 기대할 수 있는 이론값들을 서로 비교하게 된다.

2. 예비실험
1) 아래 <그림 8.1>과 같은 회로에서, DMM을 사용하여 드레인-소오스 저항 을 게이트-소오스의 전압 의 함수로 측정한다. 그 결과는 <표 8.1>과 같다.

이로부터 이 MOSFET의 문턱전압 와 값을 구한다.
= 차례대로 값을 구해보면
, 이 식에 각 값을 대입

위 4가지 값의 평균을 구하여 와 의 값을 구해보면
, 이 나옵니다.
3. 실험 순서
1) <그림 8.2>와 같은 회로를 구성한다. 이때 DVM(Digital Voltmeter)은 저항 측정 모드로 설정하여 `on` 저항을 직접 측정토록 한다. 게이트의 전압 를 변화시키면 on 저항이 변화함을 알 수 있게된다. 저항 는 단순히 MOSFET의 게이트를 보호하기 위함이며 MOS의 게이트로 흐르는 DC 전류는 ‘zero`이기 때문에 의 양단에 인가되는 전압 역시 `zero`임을 알 수 있다.
? 함수발생기를 의 원천으로 사용하는 경우: 함수발생기 (AFG3021B)로부터 DC output이 나오도록 조절해야 하지만 본 실험실의 장비는 DC를 공급할 수 없어 주파수를 조절하여 최소값이 되도록 한다. 또한 외부로 나가는 임피던스가 높도록 하기 위해 주파수 발생기에서 `Top Menu` →화면의 ‘출력메뉴’→화면의‘로드임피던스’→화면의‘;높은 임피던스’로 선택한다. 높은 임피던스로 설정하면 실제 출력 값을 전압을 화면상에 읽게 된다. 오른쪽 다이얼을 변화시키면 전압을 조절할 수 있게 된다.
또한 DC 공급을 위해 다음의 과정을 거쳐 설정한다.
화면 오른쪽 각종 함수 선택 메뉴 중 가장 하단의‘기타메뉴’ 선택 → ‘DC` 선택, 그후 ’오프셋‘ 선택을 한 후 다이얼 또는 입력키를 사용하여 DC 전압을 조절한다. DC전압은 +값이어야 한다.

참고 자료

없음