전자회로실험 10 MOSFET 공통 소오스 증폭기 : 수동(저항) 부하 결과보고서

소개글

엄청난 시간을 투자하여 작성한 보고서입니다.
당연히 A+ 받았고 보고서점수 최고점을 받았습니다.
예비실험 시뮬레이션은 물론이고 실험순서 까지도
시뮬레이션 작성하였습니다. 실험사진도 다 있고
각각의 시뮬레이션 마다 설명을 자세히 적었음은 물론
비고 및 고찰도 아주 상세하게 작성한 만큼
믿고 받으셔도 됩니다.

목차

1. 실험 목적
2. 실험 결과 및 분석
3. 보고서 작성

본문내용

1. 실험 목적
- 본 실험의 목적은 저항을 부하로 사용한 공통 소오스 증폭기의 소신호와 대신호 입력에 대한
증폭기의 출력 특성을 측정하는 것을 목표로 한다.
- 본 실험을 통해 다음을 습득하게 된다.
MOSFET의 3가지 동작 영역과 입-출력 특성
소신호에 대한 선형 증폭기의 동작 특성
소신호 이득
적절한 동작 전압 선택의 중요성

2. 실험 결과 및 분석
1) 회로의 구성은 <그림 10.8>과 같다.

<시뮬레이션 회로도>
<실제 회로도 사진>

- 대신호 증폭 -
2) 주파수 발생기의 주파수가 1kHz이며 off-set 전압을 조정하여 크기 0-5V의 삼각파가 발생하도록 조정하여 입력 전압 으로 회로에 연결한다. 주파수 발생기는 그로부터 나오는 출력전압이 주파수 발생기에 실제 전압과 동일하게 표시되도록 “High-Z" 모드로 동작시킨다.

그림 10.8의 회로도를 구성 한 후, 1kHz주파수를 인가하고, off-set 전압을 조정하여 크기 0-5V의 삼각파를 입력 한 모습입니다. 을 입력 전압으로 회로에 연결한 뒤, High-Z 형태로 지정 하였습니다.


3) 입력은 Ch1에 출력은 Ch2에 연결하고 오실로스코프를 조절하여 채널(Ch)1의 한 눈금 당 1V가 되도록 (1V/div) 하고 Ch2도 마찬가지로 설정한다. Display 메뉴에서 “X-Y display"를 선택하면 Ch1은 X-축을, Ch2는 Y-축을 표시하게 된다. X-Y 플롯(plot)의 원점은 X-축(Ch1)과 Y-축(Ch2)을 각각 접지한 후 각 축에 대한 수직 다이얼을 돌려서 화면의 좌측 아래쪽이 되도록 조절한다.
4) Ch1과 Ch2는 “DC coupling"으로 선택하면 <그림 10.4>와 같이 입-출력 plot을 얻게 된다. 이 그림을 저장하거나 그림의 형태를 실험노트에 그린다.
5) 이미 실험9를 통해 알고 있는 MOSFET의 문턱전압 값을 사용하여, <그림 10.4>의 차단-포화 경계와 포화-트라이오드 경계점들을 오실로스코프의 화면상에서 찾으라. 이 점들이 선형 증폭기로 동작하는 한계들이 될 것이다.
6) 다시 오실로스코프의 창에서 “YT"모드를 선택하여 입력전압 과 출력전압 이 한 스크린에 나타나도록 한다. 출력의 형태는 입력 파형인 삼각파의 닮은꼴인지 여부를 확인하라. 아마도 매우 입력에 대해 뒤틀린 형태의 출력 파형을 나타낼 것이 예측된다. 입력과 출력의 파형을 기록 또는 저장하라.

참고 자료

없음