전자회로실험 BJT DC 특성 PPT 프리젠테이션

소개글

BJT DC 특성에 대한 프리젠테이션 파일입니다.
많은 도움이 되어쓰면 좋겠네요~~

목차

실험 2. BJT DC 특성
1.실험 목적
2.실험 이론
3.예비 실험
4.실험 순서
5.실험 기기

본문내용

열전압으로 상온(25도)에서 약 26mV
우변의 첫 번째 항은 베이스에서 에미터로
전자의 back-injection 전류
두 번째 항은 표면 및 에미터-베이스 공핍 영역에서의
재결합(recombination) 전류
낮은 전류가 흐를 때는 재결합 전류가 우세하며,
높은 전류가 흐를 때는 back-injection 전류가 우세

BJT가 순방향 활성 영역에서 동작할 때의 콜렉터 전류
총 베이스 다수 반송자 전하(majority-carrier charge)
낮은 전류가 흐를 때,
즉 low-level injection
(베이스 소수 반송자 농도<<베이스 도핑 농도)
일때의 콜렉터 전류
높은 전류가 흐를 때,
즉 high-level injection
(베이스 소수 반송자 농도 >> 베이스 도핑 농도)
일때의 콜렉터 전류

순방향 Early 전압인 VAF는
출력쪽 인가 전압의 변화에 따라
콜렉터 전류의 영향을 나타냄.

베이스-콜렉터 공핍 영역에서의
(Early effect)
현상을 표현하는 변수
Early 전압은 소신호 등가회로에서 출력 저항 r0 에 비례
r0 는 BJT가 아날로그 전자 회로에서
능동 부하로 사용될 때의 등가 저항이 됨
소신호 등가회로에서의
트랜스 컨덕턴스 gm 과 함께 증폭 회로의
전압 이득을 결정해주는 아주 중요한 변수중의 하나

Early effect
BJT의 경우 출력 전압의 증가시 이상적으로는
콜렉터 전류의 변화가 없어야 하나,
실제 측정할 경우 약간식 콜렉터 전류가 증가
BJT 소자 설계시
베이스보다 콜렉터 쪽의 도핑을 낮게 하기 때문에
콜렉터-베이스 접합의 공핍 영역은 대부분 콜렉터쪽으로 늘어남

그러나 베이스쪽으로도 아주 조금씩 공핍 영역이 증가한다.
이는 유효 베이스폭을 감소시켜 베이스에서의 전자 농도 기울기를
조금씩 증가시키기 때문에, 전자의 기울기에 비례하는
확산 전류인 콜렉터 전류는 조금씩 증가

참고 자료

없음