순방향,역방향 바이어스 다이오드.

소개글

레포트 용으로 만들어 진 것으로, 교수가 원하는 내용만 넣었습니다.
실제로 학교마다 이 내용은 다를 수 있는 점 유의해주시길 바랍니다.

목차

1.관련이론
2.실험 결과
3.고찰- 실험에 대한 결론, 실험에 대한 평가.
4.참고 도서

본문내용

1.관련이론
일반적으로 하나의 pn접합으로 구성되어 있는 반도체소자를 다이오드라고 한다. 여기서 반도체란, 도체와 절연체의 중간 정도의 전도율을 가지고 있는 것이다. 이 전도율은 보통 온도에 따라서 저항률이 달라지게 된다. 이러한 반도체는 불순물이 들어있는 여부에 따라, 진성반도체와 불순물 반도체로 나뉘게 된다. 진성반도체라고 하고, 전기적 성질에 아무런 영향을 미칠 수 없는 극히 미소한 양의 불순물이 포함된 반도체라면 순수반도체인 진성반도체라고 해도 상관없다. 진성 반도체와는 다르게 Ge 및 Si를 모체로 한 외인성 반도체 또는 불순물반도체에 사용하는 불순물원자로서 관심의 대상이 되는 것은 원자가가 3가 및 5가의 원자들이다. 5가의 원자들은 자유전자를 제공할 역할을 하므로 도우너(donor-기증자) 불순물이라고 불리어진다. 한편 3가의 원자들은 결합전자를 받아들여 정공을 만드는 역할을 하므로 억셉터(acceptor – 수납자) 불순물이라고 불리어 진다.

<중 략>

전압의 미소변화에 의한 관찰로 0.3V 일때 Ge 다이오드의 전류 변화와 0.7V일 때 Si 다이오드의 전류변화를 관찰함으로써, 전위장벽(문턱전압)에 대한 관찰까지 해보고 싶었지만, 실제로. 기기의 미소조작이 불가능하였기 때문에 전위 장벽(문턱전압)을 관찰하기에는 어려움이 있었다. 또한, 역방향 바이어스에 의한 전류의 경우, 실제로 30V 가까이 이상에서 실험을 하게 되면, 터널효과와 애벌란시 효과에 의해서 역전압 전류가 흐르는 것을 관찰할 수 있다고, 여러 책에서 말하고 있지만, 실제로 실험한 최고 전압은 8v라서 역전압의 경우 관찰하지는 못하였다. V=IR 이라는 옴의 공식을 통해 다이오드의 저항은 전압의 상승에 따라 감소하는 것을 알 수 있는데, 이는 순방향 바이어스에 의한 다수 캐리어의 이동으로 말할 수 있다.

참고 자료

연규호 저, 우용 출판사, 물리 전자 공학- PN 접합 (183~ 214Page)
김재요 저, 두양사, 전자회로의 기초 – 반도체 이론(46~92page)
김진혁 역, 전남대학교 출판부, 고체전자론입문(반도체 물리의 기초) – 123page 반도체
그 외 – 회로이론의 기초.