전자회로실험_바이폴라 트랜지스터,에미터접지(결과)

소개글

바이폴라 트랜지스터,에미터접지(결과)

목차

없음

본문내용

VCEO

base가 Open 인 상태에서 콜렉터와 에미터에 넣을수 있는 전압은 50V(최소)이고, 콜렉터 전류는 150mA(최대) 위에서 VCEO의 의미는 다시 한번 보면 V는 전압이고, CE는 콜렉터,에미터라는 의미이고, 마지막은 사용하지 않는 남은 한 개 단자(BASE)의 상태를 의미하는 것으로 "O"는 Open을 의미합니다.

hFE

우수한 hFE(직류전류증폭률)의 선형성-- 이의미는 Ic전류에 따라hFE가 조금씩 변하는데, 증폭소자는 Ic에 따라 hFE가 변하지 않는 것이 우수한 특성입니다. 위의 경우 0.1mA/2mA 의 비율이 0.95로서 거의 변하지 않는다는 것을 보여준 것입니다.

참고적으로 hFE가 높다고 무조건 좋은 것은 아닙니다. hFE가 높을수록 주파수 특성은 나빠집니다. 따라서 주파수가 낮고, 이득이 높은 경우는 hFE가 높은 것을 사용하고, 주파수고 높은 고주파 회로일 때는 등급이 낮은 것을 사용하는 것이 유리합니다.

.NF

노이즈 특성을 나타내는 것으로 작을수록 우수한 값입니다.

Cob

콜렉터 출력용량이란 의미인데 고주파 특성에 관련됩니다. 출력 단에 고주파 회로 등을 부가 할 때 콜렉터 출력용량도 같이 계산해서 회로를 구성할 때 이 출력용량 값을 참고로 설계해야 합니다.

rbb

베이스 내부 저항 값인데, 증폭기를 설계할 때 실제 내부에 들어가 있는 저항은 아니지만 base와 직렬로 연결된 것 같은 등가저항이 존재한다고 하고 설계해줘야 합니다.

<중 략>

이론적으로 생각해보면, 우리가 전압이 0.65[V]정도 될거라고 생각을 할 수 있다. 그래서 다음과 같이 회로를 작성하였을 때, 전압도 어느 정도 예상 할 수 있다는 것이다.
그리고 이 회로에서 유심히 봐야 할 것은 이 회로는 자기바이어스 회로이다. 즉, 활성(능동)영역에서 동작을 한다. 정확히 얘기하자면, 전류가 무조건 흐른다는 것이다. 우리가 보더라도 쉽게 이해 할 수 있을 것이다. 10V에서 Vc만큼 빠진 전압이 저항 9.3k에 흐르게 된다. 그렇다면, I(B)전류나 I(C)전류가 흐르게 되면서 트랜지스터가 동작하게 된다는 것이다. 그리고 V(BE)전압은 0.6~0.8[V]로 유지 될 것이고, 또한 V(CE)전압은 V(BE)만큼 되므로 차단영역으로 들어가지 않을 것이다.

참고 자료

없음