산화 공정 (Oxidation) 분석 [A+]

소개글

산화 공정 (Oxidation) 분석 [A+]

목차

1. 목적

2. 이론

3. 실험방법

4. 실험결과

5. 고찰

본문내용

제목 : 산화 공정 (Oxidation)

목적 : 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온에서 산소나 수증기를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막을 형성 시키는 공정이다. 실리콘 산화막은 실리콘 표면에 원하지 않는 오염을 방지하는 역할 뿐 아니라 반도체소자에 서 매우 우수한 절연체로 전류와 도핑물질의 이동을 막는데 사용되는 물질로 고품질 의 SiO₂박막을 성장시키는 산화기술은 반도체 공정에서 매우 중요하다.

이론 : 딜-그로브의 열 산화 모델 (Deal-Grove Model of Oxidation)
Si기판을 고온(1000℃ 전후)하에서 산소 등의 산화성 가스에 노출시키면, Si표면이 산화되어 SiO2 막이 형성된다. SiO2 막의 질과 두께를 제어하기 위해서는 산화기구를 알아야한다.

<중 략>

그림- 3번 측정값 데이터

-고찰 : 이번실험은 실리콘에 산화막을 만들어 산화막의 두께를 측정하는 실 험을 하였다. 실리콘을 Wafer clearning하여 불순물들을 제거하고 OXIDATION과 PATTERNING(PR공정)을 실행한다. 그리고 최종적으 로 AFM을 사용하여 산화막의 두께를 측정하고 실험값을 분석한다. 이번 실험은 불순물에 예민한 실리콘을 사용하기 때문에 실험에 대한 오차의 영향이 많다. 우선 실리콘을 다룰 때 도구를 사용한다고 하지 만 손을 거쳐서 가는 과정이 있으므로, 손에있는 불순물들이 오차를 발생시킬 수 있다. 또, FURNACE에서 산화막을 형성 시키는 과정에서 기계적 오차가 발생 할 수 있다. AFM측정 하는 과 정에서도 오차가 생긴다. AFM을 통해서 산화막을 두께를 측정한 결 과, 각 시간 별마다 4번의 측정을 하였다. 4번의 측정값에서 ?Z를 평 균내어서 평균?Z값과 가장 가까운 측정값이 최종적인 실험값으로 사 용된다. 30min 에서는 1번 측정값이 평균값과 가장 가깝다.

참고 자료

없음